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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過(guò)模擬電路...
IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...
IGBT緩沖電路和電容分析,基于電磁互感模塊的IGBT設(shè)計(jì)
對(duì)由電力電子器件構(gòu)成的變換器進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)之前,必須分析預(yù)期的電磁環(huán)境,并從電磁干擾源,耦合途徑和敏感設(shè)備人手,找出其所處系統(tǒng)中存在的電磁干擾。然后...
三電系統(tǒng),即動(dòng)力電池(簡(jiǎn)稱(chēng)電池)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)(簡(jiǎn)稱(chēng)電機(jī))、電機(jī)控制器(簡(jiǎn)稱(chēng)電控),也被人們成為三大件,加起來(lái)約占新能源車(chē)總成本的70%以上,是決定整車(chē)運(yùn)動(dòng)...
2023-02-02 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 6516 0
變頻器缺相故障是常見(jiàn)的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當(dāng)然輸入缺相檢測(cè)只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...
IGBT在逆變電路中的測(cè)試與仿真,IGBT逆變器緩沖定律
在設(shè)計(jì)緩沖電路時(shí),應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級(jí)管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小,并盡量采用低感或無(wú)感...
IGBT關(guān)斷時(shí),如果關(guān)斷過(guò)快,di/dt過(guò)大會(huì)導(dǎo)致Vce電壓過(guò)大超過(guò)斷態(tài)電壓Uces時(shí)就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。
IGBT中文翻譯為:絕緣柵雙極型晶體管。是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成,兼具了這二者的優(yōu)點(diǎn):高輸入阻抗和...
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6425 0
青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動(dòng)核2QD0225T12-Q解析
近年來(lái),隨著技術(shù)進(jìn)步和國(guó)家政策支持,我國(guó)新型儲(chǔ)能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶(hù)側(cè)電價(jià)管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升...
2022-11-25 標(biāo)簽:IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)三電平 6398 0
開(kāi)關(guān)管的工作原理 開(kāi)關(guān)管怎么檢測(cè)好壞
開(kāi)關(guān)管是一種能夠在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間快速切換的半導(dǎo)體器件,通常用于電源開(kāi)關(guān)、半橋/全橋驅(qū)動(dòng)電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)管有MOS管、IGBT管等。
采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能 而冷卻需求卻在下降
合成的碳化硅粉末自1893年以來(lái)已經(jīng)批量生產(chǎn),采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但節(jié)能效果也很顯著,而且所有這些都不會(huì)將關(guān)鍵負(fù)荷轉(zhuǎn)移到電網(wǎng)中,不會(huì)...
PMA等離子釬焊機(jī)的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn)
原理:在陰極和噴嘴的內(nèi)壁之間產(chǎn)生電弧,輸入氣體后,氣體被陰極和噴嘴之間的電弧加熱并造成全部或部分電離,然后由噴嘴噴出形成等離子火焰,外部火焰溫度高達(dá)15...
英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用
由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個(gè)更高的效率,更低的成本。
高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT簡(jiǎn)析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開(kāi)關(guān)電源(也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)型整流器SMR)是通過(guò)MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源IGBT 6094 0
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場(chǎng)規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱(chēng)為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制...
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