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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路,采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 標(biāo)簽:igbt 5990 0
三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT的區(qū)別
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號(hào)放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個(gè)很小的電流Ib,在集電極c上得到一個(gè)比較大的電流Ic。它是電流放...
2023-04-13 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 5983 0
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的基本結(jié)構(gòu) IGBT集成功率模塊原理簡(jiǎn)圖
電機(jī)控制器,控制動(dòng)力電源與驅(qū)動(dòng)電機(jī)之間能量傳輸?shù)难b置,由控制信號(hào)接口電路、驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制電路和驅(qū)動(dòng)電路組成。 在電動(dòng)車輛中,電機(jī)控制器的功能是根據(jù)檔位...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制連接器 5968 0
利用功率循環(huán)測(cè)試以分析汽車IGBT芯片的材料性能
本文描述功率循環(huán)測(cè)試和瞬態(tài)熱測(cè)試的組合實(shí)驗(yàn),在此實(shí)驗(yàn)中我們使器件經(jīng)受功率循環(huán),從而產(chǎn)生故障,然后在不同的穩(wěn)態(tài)之間執(zhí)行瞬態(tài)熱測(cè)試,以此確定 IGBT 小樣...
2016-01-18 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測(cè)試 5956 0
在變頻調(diào)速系統(tǒng)里,存在著兩個(gè)設(shè)備:變頻器和電動(dòng)機(jī)。兩者對(duì)過電流的耐受程度是不一樣的。生產(chǎn)機(jī)械的設(shè)計(jì)人員在決定電動(dòng)機(jī)容量時(shí),根據(jù)的是發(fā)熱原則。就是說,只要...
2018-11-10 標(biāo)簽:變頻器電動(dòng)機(jī)IGBT 5910 0
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。
2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 5893 0
本文以單相橋式逆變電路為例簡(jiǎn)單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個(gè)臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5851 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...
IGBT功率放大保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案
IGBT的損耗功率隨著開關(guān)頻率的增高而增大,大功率運(yùn)行時(shí),損耗功率易急劇增加發(fā)熱,由于IGBT的結(jié)溫不超過125℃,基于IGBT的功率開關(guān)電路不能長(zhǎng)期...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 5811 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGB...
EMC電路中電感有什么作用?IGBT凌亂電感排列規(guī)則
電感普遍存在與導(dǎo)電的導(dǎo)體。通常疊層母線(BUSBAR)的物理尺寸是由系統(tǒng)決定的,元器件的位置是由BUSBAR的結(jié)構(gòu)決定的。為了盡量減少電感的影響,而又不...
逆變器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作...
PIM模塊和IGBT在電力電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诙x、結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用等方面存在顯著差異。以下是對(duì)PIM模塊的定義、與IGBT的區(qū)別以及兩...
電動(dòng)商用車對(duì)IGBT模塊有什么要求?IGBT在電動(dòng)商用車的應(yīng)用特點(diǎn)概述
英飛凌公司高級(jí)經(jīng)理陳子穎在高工電動(dòng)車·電動(dòng)物流車產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上,發(fā)表了《電動(dòng)商用車IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講,詳細(xì)闡述了IGBT的標(biāo)準(zhǔn)體系...
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)
碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn):高頻高效,高耐壓,高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對(duì)這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...
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