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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開(kāi)關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn),適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
作為瑞能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大家庭中的重要成員,快恢復(fù)二極管-FRD以其較低的正向?qū)▔航礦F和反向恢復(fù)電荷QRR,能幫助客戶獲得較高的系統(tǒng)整機(jī)效率,兼具出色...
2022-10-10 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管瑞能半導(dǎo)體 5309 0
PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問(wèn)題,但是需要增加外延層厚度,技術(shù)復(fù)雜,成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的,電壓規(guī)格越高、外...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器...
“T”型NPC的效率怎么會(huì)比“I”型NPC的效率高呢?
網(wǎng)上查找三電平相關(guān)的資料,特別是兩種三電平結(jié)構(gòu)的差異,經(jīng)常能看到這樣的一個(gè)結(jié)論。那就是,當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率小于16kHz的時(shí)候,“T”型NPC的效率比“I”型N...
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析
在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí),我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間,從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)的IGBT模塊,有何特點(diǎn)
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...
英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門(mén)特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳...
一種針對(duì)小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的全新壓注模表面貼裝型智能功率模塊
為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中,我們采用了將IGBT和FWD集成為單個(gè)芯片中的RC-IGBT芯片,以確保有足夠的空間用于其他芯片/器件的封...
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會(huì)有什么影響?
可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。而IGBT的反向阻斷能力相對(duì)較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種高效的半導(dǎo)體器件,集成了MOSFET的輸入特性和BJT的輸出特性。這種結(jié)合使得IGBT在開(kāi)關(guān)速度、電壓承載能力和電流...
IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路,電流電壓反饋電路等。
聊聊永磁同步電機(jī)的一種安全狀態(tài):FreeWheel
所謂FreeWheel其實(shí)就是將逆變器6個(gè)開(kāi)關(guān)器件全部關(guān)斷,即工業(yè)變頻領(lǐng)域常說(shuō)的關(guān)管或者自由停機(jī)。
2023-07-07 標(biāo)簽:二極管永磁同步電機(jī)逆變器 5178 0
GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
氮化鎵提供更低的開(kāi)關(guān)損耗、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動(dòng)汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
2018-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車igbtSiC 5163 0
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
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