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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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教你選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的正確“姿勢(shì)”
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。
2019-08-07 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4636 0
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 4634 0
MC33GD3100高檔單路IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
nxp公司的MC33GD3100是高檔單路IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,集成了電流隔離和低開(kāi)態(tài)電阻驅(qū)動(dòng)晶體管,提供高充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓,軌到軌電壓控制...
2019-05-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 4630 0
對(duì)大功率IGBT開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求的分析和討論
絕緣門(mén)極雙極型晶體管是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、飽和壓降低、耐...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)igbt功率 4622 0
大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展
功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視,尤其是以碳化硅(Si...
2023-05-09 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率半導(dǎo)體 4613 0
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4609 0
從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航?、更小的開(kāi)關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 4604 0
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開(kāi)通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4597 0
新能源汽車(chē)電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算
理論計(jì)算模型:主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過(guò)程,可用于Matlab仿真建模,從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。
2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 4574 1
如測(cè)量旋變阻值正常,但不能判斷是否線束以及插件虛接問(wèn)題,可以將兩端低壓插件安裝好之后,抓住線束用力搖晃,如果儀表轉(zhuǎn)速出現(xiàn)異常波動(dòng),則仍需仔細(xì)排查線束和低壓插件。
車(chē)規(guī)芯片與非車(chē)規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車(chē)...
IGBT的基本概念、分類(lèi)、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4549 0
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱,標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀...
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