完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3053個(gè) 瀏覽:254058次 帖子:482個(gè)
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...
為了更好了解IGBT,下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4840 0
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效...
對(duì)新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):揭秘門極電壓選擇的奧秘
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開關(guān)損...
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號(hào)打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4785 0
西門子變頻器主要分為通用型、工程型和專用型三類,不斷推出新產(chǎn)品,其產(chǎn)品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
如何提升igbt讀寫速度,igbt模塊要如何安裝?igbt驅(qū)動(dòng)板的安裝與調(diào)試
典型IGBT驅(qū)動(dòng)板電路原理圖下圖為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設(shè)計(jì)出最大可驅(qū)動(dòng)300A/1700V的IGBT驅(qū)動(dòng)板,市售全功能版本的IGBT驅(qū)動(dòng)...
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
在智能交流穩(wěn)壓器(或自動(dòng)穩(wěn)壓器(AVR))的設(shè)計(jì)中嵌入微處理器芯片技術(shù)和電力電子設(shè)備,導(dǎo)致在市電電壓出現(xiàn)顯著和連續(xù)偏差的情況下產(chǎn)生高質(zhì)量、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
2023-07-23 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電路轉(zhuǎn)換器 4728 2
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問題是問為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡(jiǎn)單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓,前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流,前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開通,這個(gè)...
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |