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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離式柵極驅(qū)動器,帶 OC 檢測,用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊
UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動態(tài)性能...
UCC21759-Q1 汽車級3.0kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保護(hù)...
UCC27624 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27624 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624具有 5A 的典...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 223 0
UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保...
UCC21755-Q1 具有主動保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保...
UCC27624-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27624-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624-Q1 的...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 204 0
UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率 ...
UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率 MOS...
UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC44273 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流...
UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊
UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MO...
UCC5880-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運行。
2025-05-15 標(biāo)簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 329 0
功率器件開關(guān)功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 322 0
為驗證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實際情況,我們?nèi)藶閷p 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
UCC15240-Q1 汽車類 2.5W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC15240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC15240-Q1 將變...
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