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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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細(xì)數(shù)IGBT測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試,主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測(cè)試方案...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 96 0
揚(yáng)杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊:高性能與可靠性的完美結(jié)合
?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTL...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 70 0
安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)
隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng),使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
IGBT指的是什么?工作原理、特性、測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為? 絕緣柵雙極型晶體管 ?,是一種復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件,兼具? ...
線上研討會(huì) @6/26 KEC:電力分立器件專家,IGBT應(yīng)用領(lǐng)域深度解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,如何選擇合適的分立半導(dǎo)體器件?如何充分發(fā)揮IGBT的性能?這些問(wèn)題是否困擾著你?作為一家擁有56年歷史的專業(yè)公司,KEC以其專注于電力...
招生通知|第二期 IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用培訓(xùn)班
對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說(shuō),功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...
2025-06-20 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 173 0
揚(yáng)杰科技MG100HF065TLC1 IGBT模塊:高效能電機(jī)驅(qū)動(dòng)的理想選擇
在現(xiàn)代工業(yè)驅(qū)動(dòng)和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT模塊的性能直接影響系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的MG100HF065TLC1 IGBT模塊以其650V/100...
2025-06-20 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 125 0
揚(yáng)杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的可靠選擇
在工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域,高效、穩(wěn)定的功率半導(dǎo)體器件是確保設(shè)備性能的關(guān)鍵。揚(yáng)杰電子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC...
揚(yáng)杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案
在當(dāng)今工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...
2025-06-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 201 0
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司(美國(guó)馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強(qiáng)化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統(tǒng)用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議...
2025-06-13 標(biāo)簽:IGBT三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 313 0
1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的柵極電壓可通過(guò)不同的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化...
爆款方案!捷捷微電MOSFET、IGBT雙殺,微型逆變器效率狂飆200%
微型逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組件,其性能與功率器件的選型密切相關(guān)。捷捷微電針對(duì)不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多樣化解決方案。本文結(jié)...
變頻器中IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)爆炸是電力電子設(shè)備中較為嚴(yán)重的故障之一,其成因復(fù)雜且危害性大。以下從設(shè)計(jì)、應(yīng)用、環(huán)境及維護(hù)等多維度分析可能導(dǎo)致IG...
IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢(shì)/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢(shì)/測(cè)試與選型要點(diǎn)——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì),在...
數(shù)明半導(dǎo)體推出全新600V/4A半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM228x系列
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變以及開關(guān)電源等高壓高功率應(yīng)用中,傳統(tǒng)門極驅(qū)動(dòng)方案長(zhǎng)期面臨三大技術(shù)瓶頸:在高壓環(huán)境下,抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā);驅(qū)動(dòng)效率低下導(dǎo)...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 608 0
硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?
革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模...
揚(yáng)杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進(jìn)口,重構(gòu)國(guó)產(chǎn)化功率器件新生態(tài)
國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝...
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),Pi...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過(guò)柵極電壓...
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