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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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為什么MOS管內(nèi)會有體二極管,它是怎么來的有什么作用
前段時間有兄弟問,為什么MOS管內(nèi)會有體二極管,它是怎么來的?又有什么作用?是不是所有的MOS管都有體二極管? 相信大多數(shù)人都會有這個疑問,網(wǎng)上也...
一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器
本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結(jié)合,提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對該功率放大器的工作...
2018-09-07 標簽:功率放大器MOS管串聯(lián)電感 5189 0
在正電源輸入端串聯(lián)一個正向二極管,充分利用二極管正向?qū)?、反向截止的特性。正常情況下,二級管導通,電路板工作。
渥爾曼電路的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計總結(jié)
共基極電路正常工作的電流變化是由于集電極電阻上電壓降不同而人造成的,而集電極上電壓降卻絕育集電極電流的變化,而集電極電流的變化取決于基極輸入電流的變化。
MOS開關(guān)實現(xiàn)的功能和開關(guān)條件
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過來接無數(shù)值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術(shù)和運用這一技術(shù)進行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計的方法,并且運用這種技術(shù)設(shè)計低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導運算放大器和電流差分跨導放大器。
MOS管因為其導通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應用在開關(guān)電路上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
開關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開關(guān)管是一種電子器件,用于控制電流的開關(guān)。在電子電路中,開關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開關(guān)管的基本概念 1.1 定義...
在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同,實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點的電壓和電流的開關(guān)波形
結(jié)合著原理圖,我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點的電壓和電流的開關(guān)波形,不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。
MOS管驅(qū)動電阻的大小對其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個電路的性能表現(xiàn)。以下是對MOS管驅(qū)動電阻大小影響...
搭建H橋驅(qū)動電路一般都包括兩個部分:半橋/全橋驅(qū)動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動所能通過的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。
MOS管學名是場效應管,是金屬-氧化物-半導體型場效應管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路、靜電防護等幾個方面用工程師的話簡單描述。
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