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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電位電阻傳感器的工作原理,在開關(guān)電路中,電阻有何作用?該如何為電阻選型
由于測量領(lǐng)域的不同,電位器結(jié)構(gòu)及材料選擇有所不同。但是其基本結(jié)構(gòu)是相近的。電位器通常都是由骨架、電阻元件及活動電刷組成。常用的線繞式電位器的電阻元件由...
電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機(jī)器人、電動汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個越來越重要的關(guān)鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強(qiáng)。
摘要:前兩天同學(xué)做了一個電路,功能就是用MOS管來控制一個電源的開關(guān),但是做出來后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開關(guān),MOS管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。一起來看看到底...
實(shí)戰(zhàn)講解:為什么MOS管要并聯(lián)個二極管?
▼關(guān)注公眾號:工程師看海▼ 原文來自原創(chuàng)書籍《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》: 根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。圖...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場效應(yīng)晶體管 5032 0
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對MOS...
目前充電寶新國標(biāo)開始實(shí)施發(fā)證、全球旅游市場復(fù)蘇、iPhone切換USB-C口等熱點(diǎn)頻頻,再加上電芯能量密度、放電倍率也獲得突破,充電寶芯片集成度再創(chuàng)新高
用H橋來驅(qū)動直流電機(jī)是很常見的應(yīng)用,常見的方式有三種,三極管驅(qū)動、MOS管驅(qū)動、集成電路驅(qū)動。那么對于這三種方式驅(qū)動直流電機(jī)我們大概都知道存在各自的優(yōu)缺...
主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識,例如:mos管工作原理、mos管封裝等知識。
上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會因經(jīng)過多次...
當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(LV排針接3V3,HV排針接5V)時,Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...
2023-03-16 標(biāo)簽:連接器MOS管轉(zhuǎn)換電路 4944 0
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
2017-11-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源emimos管 4937 0
一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路
本篇博文分享在實(shí)際工作中經(jīng)常使用的一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路,關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見下文說明。
使用三極管做開關(guān)使用,要么飽和導(dǎo)通,要么截止,我們期望飽和導(dǎo)通時集電極電流不能超過最大值限制,這個很容易達(dá)到,因?yàn)楝F(xiàn)在的三極管飽和電流都能承受幾百mA,...
MOS管(三極管)—一些常用的硬件設(shè)計(jì)電路分析
芯片的集成度雖然越來越高,但是整個電路功能的實(shí)現(xiàn),還是離不開分離器件的搭配,本文就針對筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管(三極管)的應(yīng)用做一些整理。
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