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mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

寄存器是什么?怎么操作寄存器點(diǎn)亮LED燈?

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寄存器,是集成電路中非常重要的一種存儲(chǔ)單元,通常由觸發(fā)器組成。在集成電路設(shè)計(jì)中,寄存器可分為電路內(nèi)部使用的寄存器和充當(dāng)內(nèi)外部接口的寄存器這兩類(lèi)。

2023-07-21 標(biāo)簽:led燈寄存器MOS管 4554 0

談?wù)刡oost升壓電路的充放電過(guò)程及其工作模式

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boost升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管通關(guān)來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。它多用于輸出高壓低電流的應(yīng)用場(chǎng)合。

2023-08-14 標(biāo)簽:電阻器MOS管肖特基二極管 4537 0

寄生二極管的作用和方向判斷方法

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mos管本身自帶有寄生二極管,作用是防止VDD過(guò)壓的情況下,燒壞mos管,因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免...

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CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

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今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真,說(shuō)的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真,和用AD畫(huà)原理圖一樣,開(kāi)始是設(shè)計(jì)庫(kù),后面是根據(jù)庫(kù)中的器件畫(huà)原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽:MOS管反相器CMOS集成電路 4518 0

什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)

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對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱(chēng),標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀...

2017-05-24 標(biāo)簽:萬(wàn)用表mos管igbt 4513 0

開(kāi)關(guān)電源中MOS管柵極上拉電阻和下拉電阻的作用

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第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在,當(dāng)我們斷電時(shí),由于這個(gè)寄生電容沒(méi)有放電路徑,這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài),那么我們下次上電時(shí),這個(gè)...

2023-10-21 標(biāo)簽:上拉電阻下拉電阻開(kāi)關(guān)電源 4504 0

嵌入式硬件開(kāi)發(fā)中MOS管保護(hù)方法

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在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù),往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用,此電路存在一個(gè)問(wèn)題就是沒(méi)法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...

2022-07-21 標(biāo)簽:嵌入式保護(hù)電路MOS管 4497 0

MOS管如何選?怎么確定選的MOS是合適的?

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怎么判定MOS管的帶載能力,如何選擇MOS管?

2023-07-24 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻等效電路 4491 0

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STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管

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2023-08-21 標(biāo)簽:MOS管 4464 0

開(kāi)關(guān)機(jī)按鍵電路設(shè)計(jì)圖解

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原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是通過(guò)控制PMOS Q2的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)按鍵KEY1按下的時(shí)候,PMOS Q2導(dǎo)通,之后控制Q1導(dǎo)通,就可以實(shí)現(xiàn)PMOS一直導(dǎo)通,實(shí)...

2023-08-14 標(biāo)簽:三極管MOS管PMOS 4458 0

MOS管的工作原理及特性

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MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...

2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管 4442 0

詳解MOS管的應(yīng)用電路

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接前一篇文章,可知道MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。

2023-03-14 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路放大電路 4440 0

基于MOS管的電源防反接電路設(shè)計(jì)

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在接電源到板子的時(shí)候,如果一個(gè)疏忽接反了,極有可能燒毀芯片或器件,所以需要設(shè)計(jì)防反接的電路。本文就介紹如何用MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)電源防反接電路。

2023-03-22 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)MOS管 4424 0

MOS管的安全工作區(qū)SOA詳解—如何判斷一個(gè)MOS管是否工作在SOA區(qū)?

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測(cè)量MOS管的電壓和電流波形,判斷電壓和電流是否超標(biāo)

2024-03-18 標(biāo)簽:示波器MOS管SOA 4421 0

組裝一個(gè)電路來(lái)測(cè)試mos管的好壞-mos管好壞檢測(cè)電路圖

為了保護(hù)電路板上的其他組件,在將mos管連接到電路之前對(duì)其測(cè)試至關(guān)重要。mos管主要有三個(gè)引腳:漏極、源極和柵極。

2023-01-03 標(biāo)簽:二極管電路圖萬(wàn)用表 4409 0

分享幾個(gè)常用的電平轉(zhuǎn)換電路

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比如兩個(gè)芯片之間的供電電壓不一樣,一個(gè)是5V,另一個(gè)是3.3V,那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時(shí),就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。

2023-05-29 標(biāo)簽:二極管上拉電阻MOS管 4407 0

米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?

從t1時(shí)刻開(kāi)始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...

2022-08-22 標(biāo)簽:MOS管電容充電輸出電容 4403 0

MOS管尖峰產(chǎn)生的原因

MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。然而,在MOS管的工作過(guò)程中,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...

2024-05-30 標(biāo)簽:MOS管晶體管尖峰 4387 0

MOS管知識(shí)全面解析

每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí),對(duì)于N溝道的電源...

2022-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管電極 4384 0

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    調(diào)理電路
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