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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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寄存器,是集成電路中非常重要的一種存儲(chǔ)單元,通常由觸發(fā)器組成。在集成電路設(shè)計(jì)中,寄存器可分為電路內(nèi)部使用的寄存器和充當(dāng)內(nèi)外部接口的寄存器這兩類(lèi)。
談?wù)刡oost升壓電路的充放電過(guò)程及其工作模式
boost升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管通關(guān)來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。它多用于輸出高壓低電流的應(yīng)用場(chǎng)合。
今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真,說(shuō)的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真,和用AD畫(huà)原理圖一樣,開(kāi)始是設(shè)計(jì)庫(kù),后面是根據(jù)庫(kù)中的器件畫(huà)原理圖
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱(chēng),標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀...
開(kāi)關(guān)電源中MOS管柵極上拉電阻和下拉電阻的作用
第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在,當(dāng)我們斷電時(shí),由于這個(gè)寄生電容沒(méi)有放電路徑,這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài),那么我們下次上電時(shí),這個(gè)...
2023-10-21 標(biāo)簽:上拉電阻下拉電阻開(kāi)關(guān)電源 4504 0
在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù),往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用,此電路存在一個(gè)問(wèn)題就是沒(méi)法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...
DC-DC轉(zhuǎn)換器電路圖 Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的工作原理
DC-DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi):Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器、BUCK降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器以及 Boost-BUCK升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器三種,如果電...
2023-09-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管DC-DC 4490 0
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管
STD4NK60ZT4一款N溝道600 V,1.7 Ω 內(nèi)阻,4A超級(jí)MESH功率MOS管
2023-08-21 標(biāo)簽:MOS管 4464 0
開(kāi)關(guān)機(jī)按鍵電路設(shè)計(jì)圖解
原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是通過(guò)控制PMOS Q2的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)按鍵KEY1按下的時(shí)候,PMOS Q2導(dǎo)通,之后控制Q1導(dǎo)通,就可以實(shí)現(xiàn)PMOS一直導(dǎo)通,實(shí)...
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
在接電源到板子的時(shí)候,如果一個(gè)疏忽接反了,極有可能燒毀芯片或器件,所以需要設(shè)計(jì)防反接的電路。本文就介紹如何用MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)電源防反接電路。
2023-03-22 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)MOS管 4424 0
組裝一個(gè)電路來(lái)測(cè)試mos管的好壞-mos管好壞檢測(cè)電路圖
為了保護(hù)電路板上的其他組件,在將mos管連接到電路之前對(duì)其測(cè)試至關(guān)重要。mos管主要有三個(gè)引腳:漏極、源極和柵極。
比如兩個(gè)芯片之間的供電電壓不一樣,一個(gè)是5V,另一個(gè)是3.3V,那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時(shí),就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。
米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?
從t1時(shí)刻開(kāi)始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...
MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。然而,在MOS管的工作過(guò)程中,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...
每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí),對(duì)于N溝道的電源...
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