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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管尖峰產(chǎn)生的原因

MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。然而,在MOS管的工作過程中,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...

2024-05-30 標(biāo)簽:MOS管晶體管尖峰 4382 0

MOS管的幾種失效模式

MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,MOS管在電源、電力電子、電機(jī)控制...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 4368 0

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)及工作原理

Mos開關(guān)原理(簡(jiǎn)要):Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻...

2023-01-17 標(biāo)簽:控制器MOS管 4365 0

常用的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

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電壓從U1的D極經(jīng)過MOS管的體二極管到達(dá)S極,S≈3.6V(假設(shè)體二極管壓降為0.2V),因?yàn)閂IN_5V沒有,所以G=0V,Ugs=-3.6V,MO...

2023-10-10 標(biāo)簽:二極管MOS管電子設(shè)計(jì) 4364 0

氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法

氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)...

2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管功率器件 4362 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路,場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大...

2022-11-30 標(biāo)簽:放大電路MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4353 0

造成輸出電壓過沖的原因?電源模塊測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試輸出過沖步驟?

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輸出電壓過沖是一個(gè)常見的電路問題,它是指在電路中的電壓超過了規(guī)定的范圍

2023-11-17 標(biāo)簽:MOS管輸出電壓電源模塊 4346 0

講講“熱插拔”的特性和芯片應(yīng)用

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隨著人類生活對(duì)現(xiàn)代通信技術(shù)的依賴程度越來越高,人們對(duì)電源系統(tǒng)的可靠性也提出了越來越嚴(yán)苛的要求,工作系統(tǒng)短暫的中斷,也會(huì)給我們?cè)斐蔁o法估量的損失。

2023-12-28 標(biāo)簽:連接器MOS管熱插拔 4331 0

什么是FET?FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

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FET 的全名是“場(chǎng)效電晶體(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)”,先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。

2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS管FET 4321 0

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

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  場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng)),就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗,表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。

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增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)介紹

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首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。

2023-02-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 4311 0

耗盡型mos管工作原理是什么

耗盡型MOS管(也稱為增強(qiáng)型MOS管)是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中,半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域,...

2023-12-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管電荷 4310 0

模擬電路設(shè)計(jì)之MOSFET

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  MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其全稱為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...

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一文詳解MOS管電容參數(shù)

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在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中,MOS管無疑是最常用的電子元件之一。

2024-11-06 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體MOS管 4298 0

全面解析MOS管封裝分析報(bào)告

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DIP封裝有兩排引腳,需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上,其派生方式為SDIP(Shrink DIP),即緊縮雙入線封裝,較DIP的針腳密度高6倍。

2023-06-26 標(biāo)簽:pcb整流器MOS管 4293 0

MOS管開關(guān)電路原理圖解

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對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路呢?

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MOS管的普遍用法,你知道么?

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MOS管相對(duì)于三極管,因其沒有結(jié)點(diǎn)電壓,深受廣大電子發(fā)燒友歡迎。

2023-10-12 標(biāo)簽:三極管MOS管GND 4280 0

Innovus教程:輸出用于LVS的Verilog網(wǎng)表文件 各種控制選項(xiàng)

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有時(shí)候網(wǎng)表中可能會(huì)有一些空的module(在網(wǎng)表中體現(xiàn)為Module下面沒有Cell或者準(zhǔn)確說沒有含MOS管的有效器件),而它們?cè)诎鎴D里面也是不存在的,...

2023-05-24 標(biāo)簽:MOS管VerilogLVS 4272 0

Pspice電路仿真入門:基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路

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  你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件,他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn),瞬態(tài)分析,和一些穩(wěn)定性分析。那么我...

2023-10-01 標(biāo)簽:MOS管Cadence仿真 4268 1

常見保護(hù)電路原理詳解(附電路圖)

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2023-04-12 標(biāo)簽:電路圖保護(hù)電路過壓保護(hù) 4262 0

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