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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異?!Χㄖ@的NetlistInclude
ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進行仿真的,可以用NetlistInclude控件來進行調(diào)用。
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...
近年來各種電子產(chǎn)品向小型化和微型化發(fā)展,并以大爆炸的形式進入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個產(chǎn)品的一大部分,電源變壓器、電源控制IC、MOS...
反激開關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異,主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計上。這篇文章展開說明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。
2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管DCM 3976 0
MOS管是一種電壓型控制器件,具有開掛速度快,輸入阻抗高,驅(qū)動功率小等一系列優(yōu)點。
給大家一個很有意思的小制作,一個能夠改變LED燈亮度的小電路,這個電路效果還挺好,能夠很明顯觀察到LED燈亮度變化的過程,而且既可以連續(xù)變化又可以間斷變...
BUCK與BOOST電路設(shè)計與器件選型基礎(chǔ)
基于TPS61099設(shè)計升壓電路,TPS61099外圍需要電感和電容來儲能和放能,需要兩個電阻來設(shè)定輸出電壓,需要一個邏輯信號來使能或關(guān)斷。
這個電路要求輸入控制信號與電機反饋到控制板的信號之間實現(xiàn)電氣隔離,從而達到以控制信號控制功率元件(或組件),以實現(xiàn)對控制端(或人體)的保護功能。
先從理論上分析MOS管選型是否合理,從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù),包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。 在確保實際驅(qū)動電壓大于導(dǎo)通電...
單端邏輯電平的匹配是我們平時在硬件設(shè)計中最經(jīng)常碰到的,我們在《TTL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對TTL和COMS電平的匹配設(shè)計做了一些分析,一般...
2023-06-25 標(biāo)簽:二極管FPGA設(shè)計MOS管 3931 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS管絕緣場效應(yīng)晶體管 3911 0
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