mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

使用功率mos管設(shè)計(jì)的100W直流伺服放大電路方案

給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路，就可以直接參考了。

2022-10-13 標(biāo)簽：放大電路運(yùn)算放大器 MOS管 4245 0

為什么數(shù)據(jù)傳輸需要電流信號(hào)？為什么電流信號(hào)是4~20mA呢？

在工廠自動(dòng)化控制領(lǐng)域，模擬信號(hào)的傳輸常見電流信號(hào)4-20mA，常見電壓信號(hào)0-10V，0~5V，-10V~+10V,-5V~-5V。

2023-06-13 標(biāo)簽：變送器 MOS管電磁干擾 4236 0

圖騰柱TCM控制原理解析

通過(guò)AC電壓的極性檢測(cè)，得到AC極性信號(hào)Sign(Vac)，即Polarity crossing Vac，送到DSP的GPIO口，軟件在依據(jù)正負(fù)半波來(lái)切...

2023-08-06 標(biāo)簽：MOS管計(jì)數(shù)器 TCM 4231 0

dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別

高開關(guān)頻率通?？梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸，降低開關(guān)過(guò)程中的能量損耗，從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOS管 DC-DC 續(xù)流二極管 4230 0

C51單片機(jī)的IO口介紹(下)

上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 C51單片機(jī) 4224 0

為什么大家都用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載

上一篇推文中我們已經(jīng)說(shuō)了，驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候，通常我們會(huì)采用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)，非得加個(gè)三極管，在上一篇推文中我...

2022-12-19 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 4223 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)NMOS管

老生常談我們先結(jié)合手冊(cè)認(rèn)識(shí)下這個(gè)器件：我們以無(wú)錫新潔能的NCE2302為例。

2023-11-13 標(biāo)簽：原理圖封裝 MOS管 4218 0

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片 MOS管 IGBT 4217 0

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開漏輸出

推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...

2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4212 0

MOSFET在BMS的應(yīng)用案例

電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備，是電池與用戶之間的紐帶。通過(guò)對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集，計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過(guò)程，...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 充電器 MOS管 4205 0

關(guān)于MOS管開關(guān)時(shí)電壓電流波形問(wèn)題

如圖，為什么在Vce下降前ic就開始上升了呢？

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管波形 ZVS 4195 0

2kW高頻逆變器學(xué)習(xí)干貨

現(xiàn)代設(shè)備對(duì)電源的性能要求越來(lái)越高，未來(lái)電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管高頻逆變器電池供電 4190 0

云途和智芯車規(guī)功能安全MCU分析

基于Cortex-M0+內(nèi)核的YTM32Z1L，集成LIN/CAN PHY及HV Driver,對(duì)標(biāo)NXP S12系列

2023-06-12 標(biāo)簽：arm MOS管 Cortex-M0 4188 0

IGBT與MOS管的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

2024-05-12 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 4185 0

公牛裝飾吊扇拆解采用WINSOK（微碩）高性能MOS管

　本期拆解欄目，我們將帶來(lái)對(duì)公牛裝飾吊扇的拆解。通過(guò)拆解，我們可以更好認(rèn)識(shí)吊扇運(yùn)作原理和機(jī)制。

2021-08-05 標(biāo)簽：led MOS管變頻電機(jī) 4178 0

MOS管的源極和漏極是否可以互換使用，場(chǎng)效應(yīng)管的D極和S極呢？

按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來(lái)說(shuō)，所有管子id電流是可以雙向流過(guò)的，讓人感覺似乎使用時(shí)D－S可以互換，也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對(duì)比時(shí)，也表明D-S...

2022-10-25 標(biāo)簽：二極管場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 4162 0

詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理

IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過(guò)脈沖寬度調(diào)制 (...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 4157 0

mos管怎么判斷是n型還是p型

MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...

2024-01-10 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 MOS管 4152 0

HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案

HT7181是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器，集成 20mΩ功率開關(guān)管，為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。HT7181具有2.7V至16V寬輸入電壓范圍...

2022-03-07 標(biāo)簽：鋰電池 emi MOS管 4151 0

Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？

關(guān)于MOS管的文章，例如MOS管的參數(shù)解析等，網(wǎng)上很多，這里就不寫了，我們還是針對(duì)具體問(wèn)題具體分析。在問(wèn)題求證過(guò)程中，查漏補(bǔ)缺。

2022-12-29 標(biāo)簽：三極管電阻 MOS管 4127 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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