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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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對于硬件開發(fā),往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方,一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng),另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。
2023-09-17 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4899 0
Path1容易出現(xiàn)hold問題,path2容易出現(xiàn)setup問題;如果在path1和path2的commen part修timing就會(huì)導(dǎo)致另外一個(gè)pa...
為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管?有什么用?
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 4840 0
MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻,從而實(shí)現(xiàn)對電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí),通道電阻迅速減小,形成導(dǎo)電通道,使得...
HT7179 12V升24V內(nèi)置MOS大電流升壓IC解決方案
HT7179是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成 20mΩ功率開關(guān)管,為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。HT7179具有2.7V至25V寬輸入電壓范圍...
2021-07-17 標(biāo)簽:MOS管升壓轉(zhuǎn)換器DC-DC 4811 0
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
我們可以看到上圖是由芯片和4個(gè)MOS管共同構(gòu)成的全橋式開關(guān)電源輸出部分,當(dāng)時(shí)芯片使用的好像是LM27402MHX型號(hào)
2022-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管全橋電路 4786 0
DC/DC電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)全解
一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例,盡量詳細(xì)講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu),IC 行業(yè)的同學(xué)隨便看看就好,歡迎指教!
三極管應(yīng)用項(xiàng)目之熱水循環(huán)泵系統(tǒng)搭建
本課程主要通過講解三極管應(yīng)用項(xiàng)目,讓大家學(xué)到電子領(lǐng)域更多元器件,以及能自如的搭建自己想要的電路。通過做一個(gè)個(gè)實(shí)際的項(xiàng)目,讓大家快速的成長為一名有經(jīng)驗(yàn)的能...
2019-04-17 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4781 0
防護(hù)設(shè)計(jì)中無源防護(hù)器件在電源端口的應(yīng)用
今天來認(rèn)識(shí)幾種重要的無源防護(hù)器件,主要針對這些器件在電源端口的防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的泄漏電流是指在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下,從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對電路的性能和穩(wěn)定...
什么是安全工作區(qū)?SOA具體如何應(yīng)用和測試呢?
VDS(Drain-source voltage):漏源電壓標(biāo)稱值,反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值;
在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的,對各階段做了定量分析,相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MO...
“電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
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