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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流...
內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1405 0
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
SiC MOSFET柵-源電壓測(cè)量:探頭頭部的安裝位置
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外,探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi),就會(huì)受到磁通量變化的影響,而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測(cè)量波形時(shí),觀測(cè)到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測(cè)量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT,最好在引腳根部。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會(huì)給波形測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大影響。?如果延長(zhǎng)線較長(zhǎng),在柵極引腳和源極引腳與測(cè)量夾具之間形成的環(huán)路會(huì)導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量,在開關(guān)速度較快時(shí),觀察到的波形會(huì)發(fā)生明顯變化。?受測(cè)量時(shí)所裝的延長(zhǎng)電纜的影響,觀察...
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 793 0
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 667 0
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 875 0
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1403 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過(guò)采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
CCPAK:銅夾片技術(shù)進(jìn)入高壓應(yīng)用
一段時(shí)間以來(lái),高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計(jì)師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開關(guān)頻率越來(lái)越高,這些傳統(tǒng)封...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1265 0
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
新型LTC1266開關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率
新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)外部、N 溝道 MOSFET 開關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 1222 0
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