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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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UCC27211 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27211 驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,但提供了幾項(xiàng)顯著的性能改進(jìn)。峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流二極管 415 0
UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲,采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 412 0
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(II),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 407 0
UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC...
UCC14131-Q1 汽車類 1.5W、12V 至 15V VIN、12V 至 15V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14131-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 GaN、IGBT、SiC 或 Si 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC1413...
LMR24210 42Vin、1.0A 降壓穩(wěn)壓器,采用微型 SMD 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMR24210 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器具有實(shí)現(xiàn)高效且具有成本效益的降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。它能夠以低至 0.8 V 的輸出電壓為負(fù)載提供 1 A 電流。...
ADN8833用于數(shù)字控制系統(tǒng)的超緊湊、1A熱電冷卻器(TEC)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADN8833是一款集成1 A功率MOSFET的單芯片H橋TEC驅(qū)動(dòng)器。它包括提供線性驅(qū)動(dòng)器(LDR)輸出的線性功率級(jí),以及提供SW輸出的脈沖寬度調(diào)制(...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器TEC 403 0
LM64460-Q1 汽車類 3V 至 36V、6A、低 EMI 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM644x0-Q1 源自汽車級(jí)同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器系列,具有出色的效率和超低 IQ。通過(guò)集成的高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET,可在 3V 至 3...
2025-06-05 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC降壓轉(zhuǎn)換器 401 0
UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級(jí)側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于在非連續(xù) (DCM) 和 過(guò)渡模式 (TM)。與測(cè)量 ...
UCC1806 低功耗、雙輸出、電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC3806 系列 BiCMOS PWM 控制器采用熟悉的架構(gòu),性能得到顯著提升。UCC3806 系列具有與廣受歡迎的 UC3846 系列相同的框圖和...
UCC28C41-Q1 汽車類、20V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28C4x-Q1 系列支持具有 UVLO 和最大占空比限制選項(xiàng)的固定頻率、峰值電流模式反激式實(shí)施。UCC28C4X-Q1 可配置使用輔助繞組的初級(jí)...
TPS552872-Q1 汽車級(jí) 36V、4A 全集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS552872-Q1 是一款同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,針對(duì)將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌進(jìn)行了優(yōu)化。TPS552872-Q1 集成了四個(gè) MOSFE...
2025-06-05 標(biāo)簽:MOSFET適配器升壓轉(zhuǎn)換器 393 0
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...
2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 392 0
TPS2117 具有手動(dòng)和優(yōu)先切換功能的 1.6V 至 5.5V、20mΩ、4A 低 IQ 功率多路復(fù)用器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2117 是一款功率多路復(fù)用器器件,額定電壓為 1.6 V 至 5.5 V,最大額定電流為 4 A。該器件使用 N 溝道 MOSFET 在電源之間...
LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動(dòng)的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM74670-Q1 是一款控制器器件,可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬理...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET控制器柵極驅(qū)動(dòng)器 388 0
TPS22918 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 5.5V、2A、52mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22918 是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 5.5 V...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開(kāi)關(guān) 388 0
TPSM41625 4V 至 16V、25A、可堆疊電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM41625 電源模塊是一款易于使用的集成電源,將 DC/DC 轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無(wú)源器件組合到一個(gè)緊湊的 QFN 封裝中...
UCC24630 具有超低待機(jī)電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于用于次級(jí)側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
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