mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

UCC27518A-Q1 具有 5V UVLO、使能和反相 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2751xA-Q1 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開(kāi)關(guān)。憑借本質(zhì)上最小化擊穿電流的設(shè)計(jì)， UCC2751...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 208 0

UCC27524A-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車(chē)類(lèi) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524A-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。UCC27524A-Q1 器...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET UVLO 輸入電壓 233 0

UCC27532-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27532-Q1 器件是一款單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 2.5A 的拉電流和 5A 的灌電流（非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)）峰值電流有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT UVLO 222 0

UCC27519A-Q1 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 193 0

UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車(chē)類(lèi) 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(dòng)器（緩沖電路）解決方案。UCC27511A-Q1 器件是...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT NPN 316 0

UCC27528-Q1 具有 5V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27528-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流，UCC...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)IGBT 284 0

UCC27201A-Q1 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的汽車(chē)類(lèi) 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管和具有獨(dú)立輸入的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...

2025-05-19 標(biāo)簽：電源二極管 MOSFET 253 0

ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET IGBT 297 0

ISO5451 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有主動(dòng)保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5451 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 隔離器 256 0

ISO5852S 5.7kVrms，2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S器件是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET，可提...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 灌電流 298 0

ISO5452 5.7kVrms，2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶分割輸出數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5452 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵驅(qū)動(dòng)器，適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET，可提供 2...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 隔離式輸出電源 245 0

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車(chē)類(lèi) 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5109B-Q1 是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET，采用同步降壓或半橋配置。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá)...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 UVLO 221 0

UCC27211A-Q1 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的汽車(chē)類(lèi) 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27211A-Q1 器件驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器;但是，該設(shè)備提供了幾項(xiàng)重要的性能改進(jìn)。峰值輸出上拉和下拉...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器整流二極管 232 0

ISO5451-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)功能的汽車(chē)級(jí) 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5451-Q1 的電壓為 5.7kV ~RMS~ ，用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 隔離器 218 0

ISO5452-Q1 汽車(chē)5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5452-Q1 的電壓為 5.7 kV ~RMS~ ，用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出 OUTH 和 OU...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 隔離器拉電流 247 0

如何精準(zhǔn)提取MOSFET溝道遷移率

溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 半導(dǎo)體 556 0

ISO5852S-Q1 汽車(chē)5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ，用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出 OUTH 和 ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 單電源 258 0

UCC21521 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 峰值電流 282 0

UCC20520 5.7-kVrms， 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IG...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 峰值電流 220 0

ISO5852S-EP 5.7kVrms，2.5A/5A 增強(qiáng)型 1 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強(qiáng)型隔離柵極用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 隔離器 231 0

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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