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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM7481-Q1系列 具有主動整流驅(qū)動 B2B NFET 的汽車級理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74810-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 ...
UCC27200 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允...
UCC21755-Q1 具有主動保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保...
TPS54JA20 具有遠(yuǎn)程感應(yīng)和閉鎖電流限制的 2.7V 至 16V 輸入、12A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54JA20 器件是一款小型、高效同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式。由于不需要外部補(bǔ)償,因此該器件易于使用,并且需要很少...
TPS22810-Q1 汽車類 1 通道、18V、2A、79mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22810-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和集成的快速輸出放電 (QOD)。該器件具有熱關(guān)斷功能,可保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響,從...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 240 0
TPS2480 具有 I2C 電流監(jiān)控和閉鎖功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS2480/81 旨在最大限度地減少對應(yīng)用的浪涌,并保護(hù)負(fù)載和 FET 免受過流或短路事件的影響。它們控制外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān),并通過...
2025-05-13 標(biāo)簽:電容器轉(zhuǎn)換器MOSFET 239 0
UCC27301A-Q1 汽車級 120V 4A 半橋驅(qū)動器,具有 8V UVLO、使能和互鎖功能數(shù)據(jù)手冊
UCC27301A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 ...
UCC27710 帶互鎖功能的 0.5A/1.0A、620V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27710 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器,具有 0.5A 拉電流和 1.0A 灌電流,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。 ...
UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27524A 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A 是 UCC27...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 239 0
TPS2400 具有 100V 輸入瞬態(tài)保護(hù)的 5.5V 過壓保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS2400 過壓保護(hù)控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用 將敏感電子元件與破壞性的電壓尖峰和浪涌隔離開來。它具體 旨在防止與汽車環(huán)境相關(guān)的...
LM74720-Q1 具有有源整流和負(fù)載突降保護(hù)功能的汽車級低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
TPS7H2201-SEP 耐輻射 1.5V 至 7V 輸入 6A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2201 是一款單通道 eFuse,可提供可配置的上升時(shí)間,以最大限度地減少浪涌電流和反向電流保護(hù)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
TPS7H4003-SEP 采用航天增強(qiáng)型塑料制成的耐輻射 3V 至 7V、18A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H4003-SEP 是一款耐輻射、7V、18A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了低電阻高側(cè)和低側(cè) MOSFET,采用熱增強(qiáng)型 34 引腳陶瓷扁平封裝。通過...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步,器件的溝道長度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使...
LM2103系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時(shí)間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動器用于雙通道或單...
LM5114系列 具有 4V UVLO 和分離輸出的 7.6A/1.3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5114 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動升壓型配置中的低側(cè) MOSFET 或驅(qū)動 隔離拓?fù)渲械拇渭壨?MOSFET。具有強(qiáng)大的灌電流能力, LM5114 可以并聯(lián)驅(qū)...
TPS54678 2.95V 至 6V 輸入、6A 同步降壓型 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54678器件是一款功能齊全的 6V、6A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)集成 MOSFET。 TPS54678通過集成 MOSFET、實(shí)...
2025-06-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 238 0
TPSM560R6H 4.2V 至 60V 輸入、1V 至 16V 輸出、0.6A 降壓模塊數(shù)據(jù)手冊
TPSM560R6H 電源模塊是一種高度集成的 600mA 電源解決方案,它將 60V 輸入降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽電感器和無源器...
LM5107系列 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) ...
2025-05-21 標(biāo)簽:MOSFETTTL電平轉(zhuǎn)換 237 0
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