mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級(jí) 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SPI接口 295 0

UCC21710 5.7kVrms ±10A，單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，帶 OC 檢測(cè)，用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 240 0

UCC27289 具有 8V UVLO 和使能的 2.5A 至 3.5A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27289 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓 254 0

UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 251 0

UCC21759-Q1 汽車級(jí)3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 255 0

UCC21542 5.7kVrms，4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器晶體管 251 0

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽車級(jí) 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 拉電流和 5.3...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 257 0

UCC23513-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms，4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23513-Q1 驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 215 0

UCC27624 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27624 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624具有 5A 的典...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 225 0

UCC27284 具有 5V UVLO 和使能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27284 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓 251 0

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 222 0

UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 238 0

UCC27624-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級(jí) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27624-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624-Q1 的...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開關(guān) 209 0

UCC5871-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器接口 192 0

UCC21756-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和 iso 的汽車級(jí) ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21756-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 拉電流灌電流 188 0

LM2105系列具有5V UVLO和集成自舉二極管的 107V 0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)...

2025-05-16 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電路板 188 0

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 267 0

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 拉電流灌電流 249 0

LM2103系列具有 8V UVLO、死區(qū)時(shí)間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動(dòng)器用于雙通道或單...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 PWM 232 0

UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 208 0

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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