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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

LM2103系列具有 8V UVLO、死區(qū)時(shí)間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動(dòng)器用于雙通道或單...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 PWM 232 0

UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 208 0

LM2005系列具有 8V UVLO 和集成自舉二極管的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM2005 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)...

2025-05-16 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 負(fù)電壓 218 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)電源開關(guān) 208 0

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護(hù)的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC21738-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為工作電壓高達(dá) 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 短路保護(hù)拉電流 195 0

LM2104系列具有 8V UVLO、死區(qū)時(shí)間和關(guān)斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。IN 引腳允許該器件用于單個(gè) PWM 輸入應(yīng)用...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 控制器 PWM 250 0

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOS...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程 IGBT 191 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)電源開關(guān) 202 0

UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC44273 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 峰值電流 206 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 237 0

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UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)GaN 269 0

UCC21330-Q1 汽車級 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 276 0

UCC5880-Q1 具有高級保護(hù)功能的汽車級 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...

2025-05-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 255 0

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強(qiáng)型單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC23525驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器光耦合器 317 0

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

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2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 電感雪崩擊穿 1026 0

UCC27301A-Q1 汽車級 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器，具有 8V UVLO、使能和互鎖功能數(shù)據(jù)手冊

UCC27301A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 電壓瞬態(tài)電壓 234 0

UCC27301A 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器，具有 8V UVLO、使能和互鎖功能數(shù)據(jù)手冊

UCC27301A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 3.7...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)電壓 UVLO 238 0

UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 3....

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感拉電流 222 0

UCC27311A-Q1 具有 8V UVLO 和 enable 的汽車級 120V 4A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC27311A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)電壓瞬態(tài)電壓 242 0

UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 Si...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 隔離電壓封裝 246 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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