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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)

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作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...

2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 6128 0

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2023-05-26 標(biāo)簽:三極管MOSFETNMOS 6106 0

如何使用MOSFET或者IGBT實現(xiàn)高頻開關(guān)電源

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生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET...

2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 6105 0

MAX17761同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點與應(yīng)用

本視頻簡要介紹MAX17761,器件為4.5V–76V、1A、高效、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器,帶有內(nèi)部補償,支持高效率和低溫升。

2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 6103 0

柵極驅(qū)動芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片

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柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進行選擇。

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動 6103 0

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圖騰柱PFC電路的工作原理

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如何判斷MOS管工作狀態(tài)?

MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。

2022-11-02 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6068 0

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功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...

2023-09-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 6067 0

MOS管的三個二級效應(yīng)

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前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號,閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家...

2023-04-25 標(biāo)簽:模擬電路MOSFETMOS管 6062 0

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選擇合適的放大器總會涉及在系統(tǒng)類型、成本和性能之間做出權(quán)衡。設(shè)備性能包括音頻性能、熱性能和功能設(shè)置。在這篇博文中,我們將討論如何指定系統(tǒng)額定功率以及如何...

2018-07-24 標(biāo)簽:放大器MOSFET電源效率 6029 0

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通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。

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電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...

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目前市場上有6種不同類型的場效應(yīng)管(FET),在兩類主要的FET中,增強型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計中...

2020-09-24 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管模擬設(shè)計 5966 0

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