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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 6128 0
如何使用MOSFET或者IGBT實現(xiàn)高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 6105 0
MAX17761同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點與應(yīng)用
本視頻簡要介紹MAX17761,器件為4.5V–76V、1A、高效、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器,帶有內(nèi)部補償,支持高效率和低溫升。
2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 6103 0
柵極驅(qū)動芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片
柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進行選擇。
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
繼前一篇的“裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗”之后,本文將介紹在相同的BEV電源架構(gòu)的組成模塊之一—OBC的雙向圖騰柱PFC中使用第4代SiC MOSFE...
2024-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPFC電路 6083 0
900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求
新品登場
2017-09-20 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體Mesh 6080 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-11-02 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6068 0
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號,閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家...
選擇合適的放大器總會涉及在系統(tǒng)類型、成本和性能之間做出權(quán)衡。設(shè)備性能包括音頻性能、熱性能和功能設(shè)置。在這篇博文中,我們將討論如何指定系統(tǒng)額定功率以及如何...
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 6020 0
電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 6015 0
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET設(shè)計
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DCDC 6011 0
電源產(chǎn)品設(shè)計,如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理
我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元...
三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
目前市場上有6種不同類型的場效應(yīng)管(FET),在兩類主要的FET中,增強型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計中...
2020-09-24 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管模擬設(shè)計 5966 0
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