完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5646個(gè) 瀏覽:219761次 帖子:1132個(gè)
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5938 0
場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 5915 0
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。
2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 5906 0
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語(yǔ),而且是...
功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)
通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..
JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
詳解運(yùn)放的偏置電流Ib與失調(diào)電流Ios
我們前面說(shuō)過(guò),理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流為0,所以才有“虛斷”的說(shuō)法,但是實(shí)際運(yùn)放的輸入管腳都會(huì)流入或流出少量的電流,并且經(jīng)常同相端的電流和反相...
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5873 0
氣味傳感器的實(shí)戰(zhàn)設(shè)計(jì)應(yīng)用
把學(xué)到的運(yùn)放的知識(shí)用來(lái)在實(shí)際原理圖的設(shè)計(jì)中進(jìn)行運(yùn)用。對(duì)于運(yùn)放來(lái)講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實(shí)際項(xiàng)目的需要所進(jìn)行的。
電荷泵的工作原理是什么?電荷泵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
電荷泵是一種增加或反轉(zhuǎn)直流電壓的電壓變換器。例如,+5V可以轉(zhuǎn)換為+10V或-5V(或更高/更低的值)。
MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉(MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì))
MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響...
2023-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 5863 0
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過(guò)哪幾個(gè)階段,在此過(guò)程中MOSFET為什么會(huì)發(fā)熱。
介紹極限參數(shù)-ID & EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子
所有MOS規(guī)格書(shū)上面的ID是一個(gè)有明確邊界條件規(guī)定下的理論數(shù)值。因?yàn)樵趹?yīng)用中可能會(huì)有各種各樣的散熱條件。
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)的電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放...
MOSFET的電路符號(hào)和開(kāi)關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。它是一種 FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |