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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,都用過(guò)嗎?
2022-10-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路 6317 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...
早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ,不久之后,則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)工藝為主流** 。MOSFET由于...
前面說(shuō)了一些MOS管的知識(shí),就有同學(xué)留言說(shuō)能不能說(shuō)一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理,那我們今天來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)一下,首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來(lái)劃分的...
功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)技術(shù)分為無(wú)源功率因校正數(shù)和有源功率因數(shù)校正兩種,其中有源功率因數(shù)校正方式應(yīng)用最為廣泛。
美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6261 0
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來(lái)源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來(lái)高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來(lái)簡(jiǎn)單盤一盤。
介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用
LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地...
2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器ltc7000 6224 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
0-300V可調(diào)MOSFET無(wú)變壓器電源電路圖
這種簡(jiǎn)單的MOSFET控制的無(wú)變壓器電源電路可用于提供0至300V的連續(xù)可變直流輸出和100 mA至1 A的電流控制。
深入淺出了解高邊驅(qū)動(dòng)在汽車應(yīng)用中的挑戰(zhàn)
隨著汽車電子技術(shù)發(fā)展,電動(dòng)化,輕量化與智能化需求帶動(dòng)了車規(guī)級(jí)高邊驅(qū)動(dòng)(High-side Driver, HSD)在車身負(fù)載驅(qū)動(dòng)中的大規(guī)模應(yīng)用。
MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系,縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開關(guān)損耗;最后,驅(qū)動(dòng)MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部,輸出能力很強(qiáng),通常電...
2022-08-19 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6194 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT簡(jiǎn)析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時(shí),理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒(méi)有凈電荷存在。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 6151 0
電源設(shè)計(jì)中關(guān)于噪聲和尖峰的解決方案
對(duì)于許多應(yīng)用而言,下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅縮放,功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)異構(gòu)集成提供了增強(qiáng)設(shè)備功能,加快上市時(shí)間和提高硅...
2021-04-01 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路MOSFET 6150 0
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來(lái),MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 6140 0
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