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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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解析適用于SiC柵極驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法
在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng),更需認(rèn)真關(guān)...
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲...
在晶體管和MOSFET等器件中,整流柵的控制電壓可以控制電流通過器件的方向。當(dāng)整流柵施加正向電壓時(shí),它將通導(dǎo),讓電流從源極流向漏極,實(shí)現(xiàn)正向電流的導(dǎo)通。
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以...
SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展推動(dòng)了開關(guān)速度大于 1 太赫茲或每秒 1 萬(wàn)億周期的晶體管的概念更接近現(xiàn)實(shí)。晶體管本質(zhì)上是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的開關(guān),可以控制電流或電壓——這...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET逆變器半導(dǎo)體技術(shù) 2149 0
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
一體化,更智能:?jiǎn)涡酒苿?dòng)電源解決方案
自智能手機(jī)問世起,移動(dòng)電源也一直亦步亦趨地跟隨發(fā)展,從最初的單一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片還有到現(xiàn)在一體化的單芯片方案。本方案采用目前最先進(jìn)的...
2016-01-12 標(biāo)簽:MCUMOSFET移動(dòng)電源 2145 0
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級(jí)所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2143 0
首款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“,可提升電源效率4%!
工業(yè)三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統(tǒng),其母線電壓通常高于600V,母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
2021-10-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)SiC 2142 0
穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹(四)
所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓,一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層,另一片晶圓在硅表面生長(zhǎng)二氧化硅層(見下圖)。
SiLM94112芯片應(yīng)用中過流保護(hù)功能及大電容負(fù)載啟動(dòng)的應(yīng)對(duì)策略
SiLM94112 是一款帶有多種保護(hù)功能的十二路半橋驅(qū)動(dòng)芯片,廣泛應(yīng)用于汽車應(yīng)用中的各種電機(jī)控制。
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓,也稱為閾值電壓(Vth),是MOSFET...
淺談汽車級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機(jī)械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機(jī)械繼電器相比,這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性,更快的切換時(shí)間,沒有切換彈跳以及更小的尺寸。...
2021-05-25 標(biāo)簽:繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2137 0
01 引言 自2020年,國(guó)家將充電樁納入新基建并大力發(fā)展,各類企業(yè)積極入局,現(xiàn)已進(jìn)入行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵期,將迎來(lái)爆發(fā)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2030年,中國(guó)新能源汽車?yán)?..
2022-12-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET交流電 2130 0
SiC MOSFET電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)
工程師面臨著對(duì)現(xiàn)代電動(dòng)汽車 (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時(shí)的充電站。另外,更長(zhǎng)里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性...
2022-07-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET牽引逆變器 2129 0
電機(jī)控制器中的功率MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2023-07-25 標(biāo)簽:mcuMOSFET驅(qū)動(dòng)器 2125 0
開關(guān)電源芯片SF1538DP的主要特性及其主引腳說(shuō)明
工程師們?cè)陂_關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)過程中,通常會(huì)為所設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品添加一些保護(hù)措施,以此來(lái)避免開關(guān)電源適配器在使用過程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作...
2024-03-01 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)線性電源 2123 0
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