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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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過壓保護(hù) (OVP) 器件可保護(hù)下游電路免受拋負(fù)載事件或瞬變期間發(fā)生的過壓情況的影響。有時(shí),OVP器件的基本應(yīng)用電路不足以滿足特定應(yīng)用;以下是兩種常見的...
功率半導(dǎo)體市場規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
為MAX14922選擇合適的N溝道MOSFET用于高邊工業(yè)輸出應(yīng)用
本應(yīng)用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
在電子工程領(lǐng)域,場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)作為一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中,功...
2024-05-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2189 0
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)電流大小并不是一個(gè)固定的值,它受到多種因素的影響,包括MOSFET的具體型號(hào)、工作條件(如開關(guān)頻率、柵...
如何通過提升開關(guān)電源的EMI特性來改善整個(gè)電路的EMI性能
開關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開關(guān)頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。
2019-11-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源emi 2182 0
半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外,還具有明顯的散熱優(yōu)勢(shì),因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率(通常在100~210W/mk之間),因此...
2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET功率設(shè)計(jì) 2179 0
DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)
本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評(píng)估板的參考電路為主題,說明選擇各種分立元件時(shí)的重要特性。在講解過程中,通過使用 LTspice 改變?cè)骷蛟骷旧淼某?shù)...
2025-01-10 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2179 0
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電...
2023-03-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 2179 0
DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理
DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專利技術(shù) ),利用該器件的亞...
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻?它應(yīng)該是什么價(jià)值?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?事實(shí)上,有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個(gè)可以防...
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...
耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路
當(dāng)電路工作時(shí),電阻R兩端的電壓會(huì)隨著流過的電流的增加而升高,但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性,其最大電壓值不會(huì)超過對(duì)應(yīng)電流下的閾值電壓,即V R_...
2023-11-07 標(biāo)簽:電源MOSFET應(yīng)用電路 2170 0
N通道雙MOSFET的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,...
2023-10-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)表面貼裝 2166 0
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
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