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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

電動汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析

高功率密度 → 更緊湊的設計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其...

2023-09-12 標簽：電動汽車 MOSFET 功率半導體 2089 0

MOSFET選型原則，mosfet選型要考慮哪些因素

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2023-07-20 標簽：MOSFET MOSFET管 2085 0

為電機驅(qū)動提供動力的功率MOSFET

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2022-09-27 標簽：MOSFET 電機驅(qū)動 IGBT 2070 0

無刷直流電機的梯形控制

梯形控制是無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機最簡單的控制方法之一，它施加方波電流，使電機相位與BLDC電機的梯形反電動勢波形對齊，以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...

2022-11-01 標簽：MOSFET 電機控制 BLDC 2067 0

三相電壓源逆變器中SiC MOSFET的結(jié)溫估算

功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）與其對應物相比具有一系列優(yōu)勢，例如更高的導電性、更低的開關(guān)速度和更低的傳導損。

2022-08-05 標簽：MOSFET 半導體逆變器 2066 0

安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車功率MOSFET

安森美半導體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術(shù)更可實現(xiàn)達100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...

2016-08-08 標簽：MOSFET 安森美半導體 2062 0

兩種過壓保護方法的基準比較：MOSFET與可控硅整流器

由于電子子系統(tǒng)在整個產(chǎn)品的可靠和安全運行中起著重要作用，因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個過壓保護電路，以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器，因為它們...

2023-04-15 標簽：MOSFET 整流器穩(wěn)壓器 2062 0

MOSFET功率放大器電路原理圖

這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設計，原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負載下獲得 5200W RMS...

2023-07-31 標簽：原理圖 MOSFET 功率放大器 2060 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（1）

我們常說IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構(gòu)成

2023-11-28 標簽：MOSFET 場效應管 IGBT 2059 0

安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。

2024-05-06 標簽：MOSFET 寄生電感柵極驅(qū)動器 2058 0

MOSFET三種最常見極性反接保護技術(shù)

【導讀】當車輛電池因損壞而需要更換時，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會導致大量 E...

2023-05-06 標簽：二極管 MOSFET ecu 2058 0

故障電流限制器的作用及原理

FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件（如IGBT、MOSFET等）及其控制電路組成。

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EDA探索之控制閾值電壓

精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。

2023-02-09 標簽：MOSFET eda 晶體管 2056 0

背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應用

當充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應運而生了。

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一文理解IGBT的發(fā)展歷程

在當代高科技領域中，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）無疑是一顆耀眼的明星，其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應用等領域的不可替代地位，讓人們對其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...

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三柵極的應用優(yōu)勢及對高性能FPGA性能的影響以及

2013年2月，Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨家采用Intel的14nm 3D Tri-Ga...

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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

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什么是 CoolMOS? MOSFET CFD7？

CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補全了 CoolMOS? 7 系列。

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使用SpeedFit 2.0設計模擬器快速啟動基于碳化硅的設計

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項相對較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

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為什么MOSFET和IGBT特性不同？

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡通信標準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應用等內(nèi)容。
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COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領導者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學家們可以通過模擬，賦予設計理念以生命。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設備安裝完畢后，對基站設備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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