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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封...
低電壓、高電流降壓型μModule穩(wěn)壓器可獨立完成電源設計
LTM4604 和 LTM4608 LTC μModule 開關穩(wěn)壓器能夠以最小的工作量創(chuàng)建高密度設計。兩款器件均為高密度電源,適用于 ≤5.5V 輸入...
有兩個因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲由芯片設計、工藝技術,以及互連的導體和電介質材料決定。
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設計的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領域[2-9] ,展示了新技術的優(yōu)良特性。
2024-02-19 標簽:MOSFET數(shù)字示波器SiC 1996 0
在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)...
多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質?又是怎樣制造出來的呢?
硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質?有哪些應用?又是怎樣制造...
同步整流MOSFET發(fā)燙,首先要從控制MOSFET的信號去分析,主要看信號是否合理,還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙?
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