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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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靜電放電(ESD)防護(hù)是電子系統(tǒng)設(shè)計者和制造商面臨的主要挑戰(zhàn)之一。 這些ESD事件可能在現(xiàn)場發(fā)生并導(dǎo)致系統(tǒng)故障,引起短時間系統(tǒng)中斷(軟故障),甚至引起系...
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:計算升壓穩(wěn)壓器的最大輸出電流
了解升壓轉(zhuǎn)換器的第一件事是,平均電感電流并不等于輸出電流,后者處于降壓轉(zhuǎn)換器中。升壓調(diào)節(jié)器仍將控制電感電流,但是代表轉(zhuǎn)換器的輸入電流,而非輸出電流。由此...
2023-04-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1944 0
Linear Technology Corporation) 推出的LT3845的高可靠性 (MP) 級新版本,該器件具 4V 至 60V 輸入電壓范圍...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對IGBT開關(guān)過...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...
2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 1942 0
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
意法半導(dǎo)體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應(yīng)用的功率密度
意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠為工業(yè)...
2018-05-15 標(biāo)簽:mosfetemi意法半導(dǎo)體 1932 0
放大器是一種電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。放大器的子類別是...
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
本實驗活動的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言,有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路,以合成一個正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極...
2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET整流器運(yùn)算放大器 1925 0
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
雙通道8A DC/DC ΜModule穩(wěn)壓器可輕松并聯(lián)16A
兩款穩(wěn)壓器的輸入電源電壓范圍為 2.375V 至 5.5V,可調(diào)輸出電壓范圍為 0.6V 至 5V,連續(xù)輸出電流高達(dá) 8A (峰值為 10A)。對于較高...
mosfet主要參數(shù)有哪些(mosfet參數(shù)詳解)
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大,則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此,要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
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