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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
在DCDC電源測(cè)試中,負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試(Load Transient Test)是十分重要的一環(huán),利用負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試,可以快速評(píng)估所測(cè)電源的穩(wěn)定性與快速性,而...
應(yīng)用手冊(cè) | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解
為滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)...
2020-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 1848 0
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測(cè)試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三...
引言:上節(jié)(傳送門:CSS-1:?jiǎn)喂?jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡(jiǎn)單講解了PCM在充放電過程中的運(yùn)行過程,對(duì)于一個(gè)鋰電池組的PCM設(shè)計(jì)來說,不僅僅需要滿足法...
電動(dòng)汽車隨著汽車行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV),(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...
結(jié)合基本保護(hù)技術(shù),F(xiàn)OC 可成為驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的最有效方法之一,也是在各種應(yīng)用中提高電動(dòng)機(jī)控制和精度的好方法。
2022-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電動(dòng)機(jī) 1829 0
DC/DC變換器數(shù)據(jù)表:計(jì)算系統(tǒng)損耗
傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后,負(fù)載電流就會(huì)從其中...
示波器數(shù)學(xué)函數(shù)有助于熱插拔電路分析
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài),但您可能還沒有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔...
汽車中半導(dǎo)體器件主要是三大類:傳感器,MCU和功率半導(dǎo)體。其中,功率半導(dǎo)體主要運(yùn)用在動(dòng)力控制系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、燃油噴射、底盤安全等系統(tǒng)當(dāng)中。并且,隨著汽車...
充電與換電,兩種電動(dòng)汽車補(bǔ)能方式發(fā)展情況漫談
根據(jù)中國(guó)電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至到2022年6月,國(guó)內(nèi)換電站數(shù)量已達(dá)1,582個(gè)。能夠看出,目前新能源汽車換電產(chǎn)業(yè)正在高速地發(fā)展,除了北...
2023-05-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1825 0
開關(guān)模式、降壓型DC/DC μModule穩(wěn)壓器創(chuàng)建完整的負(fù)載點(diǎn)解決方案
LTM4611 是一款開關(guān)模式、降壓型 DC/DC μModule 穩(wěn)壓器,采用緊湊的 15mm × 15mm × 4.32mm LGA 表面 裝載包。...
碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET逆變器芯片設(shè)計(jì) 1821 0
ROHM借助更合適的同步整流技術(shù)滿足市場(chǎng)需求
如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況,那么MOSFET將無法打開,且電流會(huì)流過體二極管,從而導(dǎo)致MOSFET過熱。
看一下MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)知識(shí)內(nèi)容和典型的使用方法
場(chǎng)效應(yīng)管與三極管比較類似,都是三端元器件,但是三極管是一種流控型的半導(dǎo)體器件,而場(chǎng)效應(yīng)管是一種壓控型的半導(dǎo)體器件
2022-10-27 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1813 0
安全工作區(qū):SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流)坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域,開關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不會(huì)超過該...
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETSOA開關(guān)器件 1812 0
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