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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...
2023-05-01 標簽:MOSFET電阻器開關(guān)穩(wěn)壓器 1783 0
在射頻功率放大器中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的選擇對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關(guān)重要。雖然射頻功率放大器的設(shè)計可能涉及多種不同類型...
同步升壓電路是一種重要的電路設(shè)計方案,它通過將輸入電壓轉(zhuǎn)換為更高的輸出電壓,廣泛應(yīng)用于電源模塊、照明設(shè)備、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能和風(fēng)能儲能系統(tǒng)以及便攜...
2024-08-28 標簽:MOSFET升壓電路開關(guān)元件 1780 0
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器如何使用串聯(lián)晶體管或功率MOSFET?
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是一種開關(guān)模式電源電路,旨在有效地將直流電壓從較高電壓降低到較低電壓,即減去或“降壓”電源電壓,從而降低輸出端可用的電壓端子無需改變極性。...
2023-07-11 標簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)模式電源 1779 0
經(jīng)濟水平的提高,大眾的休閑娛樂方式也隨之發(fā)生較大的改變。很多企業(yè)為了讓新手玩家更好地體驗養(yǎng)魚的樂趣,開始推出智能魚缸產(chǎn)品,能實現(xiàn)自動投食、恒溫控制以及水...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。...
開關(guān)穩(wěn)壓器是通過一個快速開關(guān)管,如MOSFET或BJT,來將輸入電壓交替導(dǎo)通和截止,從而產(chǎn)生高頻脈沖信號。在穩(wěn)壓器的輸出端,這些脈沖信號通過濾波電路...
2023-02-28 標簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器濾波電路 1768 0
當(dāng)驅(qū)動中高功率MOSFET和IGBT時,當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時,存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實現(xiàn)的器件性能。
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 1758 0
MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場!EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及...
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:系統(tǒng)損耗揭秘
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時,驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其...
在直流系統(tǒng)中,比如汽車電子設(shè)計中,當(dāng)電池接反時,使用電池作為電源的電路可能會損壞,所以一般需要反向電壓保護電路。其實用MOSFET作為反向保護電路一般比...
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