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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語集
之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書,一般規(guī)格書(技術(shù)規(guī)格書)中都會(huì)記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱和保證值等。
評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
面對(duì)眼花繚亂的AC/DC開關(guān)電源我們應(yīng)該如何選型?
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,AC/DC開關(guān)電源已基本取代線性電源,朝著小型、輕量和高效的方向發(fā)展。
2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源PWM控制器 1692 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種單極型半導(dǎo)體器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一種利用電場(chǎng)控制半導(dǎo)體材料中電流流動(dòng)的器件。...
使用高壓電容進(jìn)行電路保護(hù):該做法通常將耐壓至少為1.5KV的陶瓷電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號(hào)的位置,同時(shí)連接線盡可能的短,以便減小連接線的感抗。若...
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1688 0
為了在意外直接連接到汽車電池電壓時(shí)保護(hù)音頻放大器和其他汽車電子電路,請(qǐng)?zhí)砑铀倦娐罚ú⒙?lián)穩(wěn)壓器、二極管和與每個(gè)音頻路徑串聯(lián)的 n 溝道 MOSFET)。
東芝推出集成快速恢復(fù)體二極管的DTMOSVI系列產(chǎn)品
2021年11月初,新一輪國(guó)際能源氣候大會(huì)在英國(guó)舉辦,會(huì)上確定了各國(guó)碳中和、碳達(dá)峰的時(shí)間表。對(duì)此,中國(guó)也制定出了符合發(fā)展中國(guó)家國(guó)情的“雙碳3060”戰(zhàn)略...
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
采用MOSFET器件實(shí)現(xiàn)模擬平方根計(jì)算裝置的設(shè)計(jì)
在儀表和測(cè)量系統(tǒng)中廣泛使用了平方根計(jì)算電路,例如:用于計(jì)算任意波形rms (均方根)等任務(wù)。因此,設(shè)計(jì)師需要有一種高效的模擬平方根計(jì)算裝置。由于制造商常...
適配器電源芯片的正確選擇對(duì)于適配器來說有著至關(guān)重要的作用,關(guān)系到電源適配器的穩(wěn)定性以及使用壽命,也可以減少產(chǎn)品的故障率。
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)...
什么是H橋?介紹H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件,例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1678 0
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...
1600V BIMOSFET晶體管的應(yīng)用及其直流電性能
本應(yīng)用筆記介紹了新的1600 V BIMOSFET晶體管,該晶體管已被新應(yīng)用取代。它介紹了BIMOSFET的許多應(yīng)用及其直流電性能。如今,有許多使用高壓...
RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)體積小,...
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