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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LED驅(qū)動(dòng)芯片U6113主要性能與應(yīng)用
LED驅(qū)動(dòng)芯片有效降低恒流拐點(diǎn)電壓,LED應(yīng)用面越來(lái)越廣泛,LED驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模也逐步擴(kuò)大。
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 1671 0
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開(kāi)關(guān) 1667 0
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從3.3V背板提供兩個(gè)15A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負(fù)...
2022-12-13 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1666 0
示波器數(shù)學(xué)函數(shù)有助于熱插拔電路分析
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài),但您可能還沒(méi)有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔...
近日,中國(guó)科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
智能配電相比傳統(tǒng)配電有哪些優(yōu)勢(shì)
相較于傳統(tǒng)配電方式, 智能配電技術(shù)存在較大的優(yōu)勢(shì) 第一, 能源管理。 根據(jù)用戶場(chǎng)景進(jìn)行智能化精準(zhǔn)配電, 減少不必要的電力浪費(fèi), 讓電力得到最優(yōu)化的利用。...
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開(kāi)關(guān)功能測(cè)試
本文主要對(duì)電源的軟開(kāi)關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過(guò)零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過(guò)零點(diǎn)。檢測(cè)通過(guò)此處的電流...
2023-02-27 標(biāo)簽:電源MOSFET軟開(kāi)關(guān) 1665 0
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
MOSFET等開(kāi)關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 1659 0
柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動(dòng)IC :柵極驅(qū)動(dòng)...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究
我國(guó)擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒(méi)電引起的焦慮問(wèn)題主要有...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1653 0
提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-設(shè)計(jì)步驟
在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)”系列中,將使用二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列,介紹將二極管整流的AC/DC轉(zhuǎn)換...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET整流電路分流穩(wěn)壓器 1650 0
在28nm以下,最大器件長(zhǎng)度限制意味著模擬設(shè)計(jì)者通常需要串聯(lián)多個(gè)短長(zhǎng)度MOSFET來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道器件。
2024-01-15 標(biāo)簽:MOSFET 1647 0
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