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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在中國電動兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺W?019年國標(biāo)(GB 17761-2018)實施后,48V新國標(biāo)電動自行車逐漸成為市場主流,...
如何使用單個反饋源實現(xiàn)任意數(shù)量的電流沉/源設(shè)計
利用運放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個簡單、直接的過程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
為什么不用SiC來做IGBT?未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢?
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成:N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
同步整流可提高效率,同時也能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)。它為電源預(yù)加載提供了一種高效的方法。另外,相比擺動電感,它還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。
電力場效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1591 0
簡單認(rèn)識功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開關(guān)速度快,并且具有負(fù)溫度系數(shù)(溫度上升時電流減少),因此被認(rèn)為是一種理...
2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1590 0
PCB設(shè)計中如何提高超級結(jié)MOSFET的性能
為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響,以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-60...
2019-05-13 標(biāo)簽:mosfetpcb設(shè)計 1589 0
實現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點:電池測試單元的功率變換部分
電池測試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動,MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。電能變換拓?fù)渥畛S玫木褪前霕蛘鞯腂uck/Boost變換電路,主要是...
如何優(yōu)化PCB設(shè)計以最大限度提高超級結(jié)MOSFET的性能
基于最近的趨勢,提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面...
雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點是開關(guān)損耗低,但受失諧的影響,開關(guān)損耗可能會增加,并且可能會導(dǎo)致MOSFET損壞。
2022-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1587 0
CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET:功能強大的應(yīng)用解決方案
摘要:CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù),具有出色的Qg*Ro...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運...
性能是一個主觀術(shù)語 - 它可以以任意多種方式進(jìn)行衡量,但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值,效率和成本。眾所周知,硅作為半導(dǎo)體開關(guān)材料在傳導(dǎo)和...
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對...
AN-3009/D標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器光電耦合器
柵極驅(qū)動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應(yīng)所需...
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