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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種場效應晶體管,這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子:柵極、漏極和源極。漏極和...
12v1A電源芯片U6210推動創(chuàng)新精簡設計
12v1A電源芯片U6210是一款高性能原邊控制器,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應用中。
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能...
減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關,同時和耐壓環(huán)也有很大的關系。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅(qū)動式開關功率半導體器件。它結...
仁懋MOSFET:為房車儲能系統(tǒng)注入強勁動力MOT“露營經(jīng)濟”持續(xù)火熱,咨詢報告顯示,2022年中國“露營經(jīng)濟”核心市場規(guī)模達1134.7億元,同比增長...
反激式充電器和適配器的同步整流芯片U7710SG是一種開關電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動電路
多功能LTC3830和LTC3832實現(xiàn)降壓、升壓和反相應用的設計
本文介紹了幾種使用 LTC3830 實現(xiàn)降壓、升壓和反相應用的設計。在任何這些設計中,LTC3832 均可代替 LTC3830。只需對反饋電阻分壓器和補...
眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個...
2023-07-10 標簽:MOSFETSiC-MOSFET碳化硅芯片 1490 0
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