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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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簡(jiǎn)單的PSPICE模型可預(yù)測(cè)MAX8546的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)
MAX8546為低成本、寬輸入電壓范圍、降壓型控制器,具有折返電流限制。其 300kHz 開關(guān)頻率非常適合與低成本外部元件(如鐵粉電感器和鋁電解電容器)...
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
LTC3788利用一個(gè)兩級(jí)升壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生高電壓
解決這個(gè)問(wèn)題的一種方法是使用兩級(jí)升壓轉(zhuǎn)換器。第一級(jí)產(chǎn)生中間電壓軌,然后由第二級(jí)將其提升到所需的高壓電平。LTC3788 非常適合在單個(gè)控制器上實(shí)現(xiàn)此拓?fù)?..
2023-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1548 0
MOSFET調(diào)整元件產(chǎn)生100mV壓差穩(wěn)壓器
在該設(shè)計(jì)中,當(dāng)電壓轉(zhuǎn)換器(MAX100)升壓輸入電壓以驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)n溝道MOSFET的穩(wěn)壓器(MAX680)時(shí),不會(huì)產(chǎn)生666mV壓差穩(wěn)壓器。該電路使用n溝...
2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1543 0
一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路CS5755SDQ
CS5755SDQ是一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)、水泵等。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
2024-10-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 1538 0
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對(duì)三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說(shuō)到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1533 0
每個(gè)MOSFET的datasheet都有一個(gè)極限值(有時(shí)也叫最大定格)表格,如果元件工作在極限值以外,將會(huì)導(dǎo)致元件立即損壞或是壽命降低。在下圖中可以明顯...
保護(hù)5V 1-Wire從機(jī)免受過(guò)壓暴露
大多數(shù)1-Wire器件工作在2.8V至5.25V V狗用于讀寫。EPROM器件(包括DS2406、DS2502、DS1982、DS2505和DS1985...
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC的工...
2023-04-21 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1528 0
高電壓LTC3892控制器系列降低了DC-DC轉(zhuǎn)換器的成本和尺寸
LTC3892 是一款多功能控制器,廣泛用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。該控制器的主要優(yōu)點(diǎn)是能夠通過(guò)調(diào)節(jié)開關(guān)MOSFET的柵極電壓來(lái)降低功率損耗,并且靜態(tài)電流極低(...
2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1527 0
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
光隔離探頭在新能源汽車電機(jī)控制器的雙脈沖測(cè)試應(yīng)用實(shí)例
電機(jī)控制器是新能源汽車電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分之一,它負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)換成交流電以驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。在這個(gè)過(guò)程中,核心功率器件一般是 SiC 或者 GaN...
DC/DC的不穩(wěn)定是由多種因素造成的,例如補(bǔ)償參數(shù)不當(dāng)或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩,這是一種當(dāng)電流模式開關(guān)穩(wěn)壓器具有連續(xù)電感電流且占空比超過(guò) 5...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
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