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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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靈活的熱插拔限流器可實(shí)現(xiàn)熱保護(hù)
應(yīng)用筆記介紹了一種采用熱插拔控制器和外部MOSFET的柔性限流電路。電路具有可設(shè)置的電流限制和通過熱敏電阻反饋的可選熱保護(hù)。
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì),但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...
2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1468 0
如何驗(yàn)證DC/DC轉(zhuǎn)換器的相位裕度和負(fù)載響應(yīng)之間的折衷取舍問題呢?
可能許多人在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電路設(shè)計(jì)中會(huì)發(fā)現(xiàn),我們很難調(diào)整相位補(bǔ)償,如果調(diào)整得當(dāng),對(duì)于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的變動(dòng),可以抑制調(diào)節(jié)器振蕩或輸出電壓的大幅波動(dòng)。
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中,也可使用...
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)TPM2351x系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)——TPM23...
三相180?正弦波無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC-ACM6753介紹
ACM6753是一種三相無(wú)傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,具有集成功率MOSFET,可提供高達(dá)3.2A峰值的驅(qū)動(dòng)電流。
2023-08-15 標(biāo)簽:傳感器MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1461 0
國(guó)產(chǎn)兼容SY6280AAC,SY6280AAAC 降低成本
SY6280A是一種經(jīng)濟(jì)有效、低電壓、單P-MOSFET負(fù)載開關(guān),為自供電和總線供電的通用串行總線(USB)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該開關(guān)的輸入范圍從2.4V到...
2024-11-30 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān) 1461 0
碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1461 0
上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車為什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期,我們相對(duì)放大一下,聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用。
2024-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電池充電 1459 0
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1456 0
支持SPI通訊|高集成度的直流有刷柵極驅(qū)動(dòng)IC TMI8721-Q1
拓爾微TMI8721-Q1專為智能汽車車身域打造,支持SPI通訊,用于各類驅(qū)動(dòng)參數(shù)的調(diào)節(jié)及故障信息的讀取;同時(shí)TMI8721-Q1內(nèi)部集成了電流采樣運(yùn)放...
隨著時(shí)代的發(fā)展,電源被設(shè)計(jì)得越來(lái)越小,卻越來(lái)越高效,而在節(jié)能倡議和客戶期望的推動(dòng)下,電源還需要具有功率因子校正(PFC)功能。通過減少諧波含量和被動(dòng)電源...
MOSFET簡(jiǎn)介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
咱們做電子的,幾乎都會(huì)用到MOS管,也遇到過MOS管炸裂的情況。小功率MOS炸裂時(shí),沒什么感覺,大功率就不一樣,震耳欲聾,感覺在以命相搏。
iPhone15系列手機(jī)下周就要推出與大家見面了。雖然遭到了很多人吐槽沒有創(chuàng)新,只是序列號(hào)的變化,但只有在實(shí)際使用和評(píng)估之后,我們才能做出更準(zhǔn)確的判斷和評(píng)價(jià)。
采用轉(zhuǎn)換器或控制器進(jìn)行大電流電壓調(diào)節(jié)
諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來(lái)越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設(shè)計(jì)。然而,這些應(yīng)用對(duì)空...
2023-04-14 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 1447 0
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...
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