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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET損壞的主要原因包括靜電損壞、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱和寄生振蕩等。為了預(yù)防和解決這些問(wèn)題,可以采取一系列措施,包括合理設(shè)計(jì)電路、做好靜電與浪涌防護(hù)、...
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1405 0
毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車(chē)行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...
該 100W 音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個(gè) V-MOSFET 晶體管技術(shù)作為輸出級(jí),可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是,通過(guò)添加散熱器或風(fēng)扇等...
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱(chēng)為二進(jìn)制(有時(shí)稱(chēng)為“二進(jìn)制代碼”)。
在介紹MOSFET之前,我們先來(lái)了解一下FET的工作原理。FET又叫做場(chǎng)效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過(guò)的通道)
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 1395 0
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是一種常見(jiàn)的電子設(shè)備,用于穩(wěn)定電壓輸出。它的工作原理基于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)。
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFET電感器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1395 0
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1392 0
國(guó)產(chǎn)汽車(chē)級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器概述
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。今天給大家推薦一款國(guó)產(chǎn)汽車(chē)級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器。
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1391 0
ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出,易于使用,智能的手機(jī)IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專(zhuān)為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí),ACPL...
英飛凌CoolGaN技術(shù)開(kāi)啟電力電子新時(shí)代?
英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項(xiàng)尖端硅技術(shù)與寬帶對(duì)應(yīng)技術(shù)相結(jié)合。基于市場(chǎng)上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 1388 0
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
雙輸出μ模塊DC/DC穩(wěn)壓器可從4.4V至5.26V輸入產(chǎn)生高效率5A輸出
使用 FPGA 和 ASIC 的系統(tǒng)和 PC 板通常非常密集地包含組件和 IC。這種密集的空間(尤其是 FPGA 的支持電路,如 DC/DC 穩(wěn)壓器)給...
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