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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...
深圳銀聯(lián)寶科技推出了很多PSR原邊反饋開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案,利用初級(jí)(原邊)調(diào)節(jié)技術(shù)、變壓器容差補(bǔ)償、線纜補(bǔ)償和EMI優(yōu)化技術(shù),來監(jiān)控負(fù)載、電源和溫度的實(shí)時(shí)...
提高電流能力并簡化反激式轉(zhuǎn)換器的熱設(shè)計(jì)
在反激式轉(zhuǎn)換器中,大電流應(yīng)用中的電流水平受到輸出整流二極管中產(chǎn)生的熱量的限制。解除這一限制的明確方法是用壓降低得多的MOSFET代替二極管,從而顯著減少...
2023-04-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETldo 1334 0
耗盡型MOSFET為負(fù)載提供過壓保護(hù)的應(yīng)用
在上述電路中,選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。
2023-11-08 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET穩(wěn)壓二極管 1334 0
驅(qū)動(dòng)開關(guān)以進(jìn)行同步整流可以通過不同的方式完成。一個(gè)簡單的概念是驅(qū)動(dòng)變壓器的次級(jí)繞組。如圖 1 所示。在本例中,輸入電壓范圍可能不是很寬。在最小輸入電壓下...
薩科微slkor半導(dǎo)體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器SL27511介紹
電機(jī)作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對(duì)電機(jī)的控制要求也不斷的提高。
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1331 0
擴(kuò)展600V輸入、無光耦合器隔離式反激式控制器的電源電壓
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),可實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開開關(guān),并允許開關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動(dòng)。負(fù)載斷開電路將單個(gè)NiMH電池輸出升壓至3.3V,...
2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1323 0
電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)的芯片.主要負(fù)責(zé)識(shí)別CPU供電幅值,產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波,推動(dòng)后級(jí)電路進(jìn)行功率輸出。
2025-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)備調(diào)制技術(shù) 1322 0
LED驅(qū)動(dòng)電源ic U6113的特點(diǎn)和應(yīng)用有哪些
LED體積更小,亮度更高,可以輕松應(yīng)用在移動(dòng)電源、戶外電源以及手機(jī)、顯示器背光等各種燈光照明場景。
-接下來請你給您介紹一下具體的解決方案。ROHM已經(jīng)開發(fā)出攻克了AC/DC轉(zhuǎn)換器同步整流方式課題的控制器IC,即BM1R001xxF系列產(chǎn)品。產(chǎn)品支持不...
2023-02-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC 1321 0
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
通過自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開關(guān)
在電源及其負(fù)載之間放置開關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡單開關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路,它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能,無需移動(dòng)部件,也無需維修。本文將...
2023-04-04 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1319 0
Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,提供優(yōu)異的散熱,極大簡化了熱管理。
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
高性能μModule DC/DC穩(wěn)壓器的POL電源解決方案
LTM4637 是一款完整的 20A 高效率開關(guān)模式電源,采用緊湊的 15mm × 15mm × 4.32mm LGA 封裝。控制器、功率 MOSFET...
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