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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答
ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...
單元測試的問題全部要提問題單跟蹤解決,測出問題在記錄在跟蹤表的同時就馬上提問題單(單元測試的問題單可以走短流程),不要積累到最后一起提。
使用單個N溝道MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動器電路
這是使用單個N溝道MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動器電路。在該電路中,直流電機(jī)繼續(xù)沿一個方向運行,直到按下開關(guān)時它的方向反轉(zhuǎn)。該電路可在不同項目中用作電機(jī)驅(qū)動...
2023-06-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器電路直流電機(jī)驅(qū)動器 1379 0
無可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個建設(shè)地。而每一次的...
APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊:SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
一、概述PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。PN8143T單相智能電表開關(guān)電源方...
2024-11-01 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源智能電表 1375 0
在大電流熱插拔應(yīng)用中通過有保證的SOA實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
LTC?4234 是一款用于熱插拔的集成式解決方案?允許從帶電背板上安全插入和拔出電路板的應(yīng)用程序。該器件在單個封裝中集成了熱插拔控制器、功率 MOSF...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢,但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,...
了解PWM IC的熱降額方面,以確保最佳系統(tǒng)性能
現(xiàn)代 DC-DC 轉(zhuǎn)換器使用集成 MOSFET 的 PWM 控制器來實現(xiàn) DC-DC 模塊的最高功率密度。由于功率MOSFET位于PWM芯片內(nèi)部,因此它...
2023-04-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1372 0
LT8310/LT1431具光電反饋功能的81W隔離式正激式轉(zhuǎn)換器
LT?8310 是一款具有一個低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器的恒定頻率諧振復(fù)位正激式轉(zhuǎn)換器控制器。LT8310 具有一個 6V 至 100V ...
在關(guān)于動力傳動系統(tǒng)電氣化的第三篇博客中,我們首先嘗試了解為什么使用48伏特系統(tǒng),然后介紹48伏特起動發(fā)電機(jī)的不同安裝選項。
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子發(fā)電機(jī) 1369 0
使用互補(bǔ)的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS(互補(bǔ)MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來實現(xiàn)邏輯功能。
優(yōu)化電源模塊性能的PCB布局方法、實例及技術(shù)
電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格,對于電源設(shè)計工程師,如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。
LTC3865雙輸出降壓型穩(wěn)壓器實現(xiàn)重負(fù)載條件下最高效率的應(yīng)用
LTC3865 是一款高性能降壓型控制器,具有兩個恒定頻率、電流模式、同步降壓型控制器和片內(nèi)驅(qū)動器。它在寬輸入范圍內(nèi)提供高輸出電流能力。LTC3865 ...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時需注意的事項有哪些?
技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時,通常需要采取一些措施保障來處理可能會出現(xiàn)的問題。
MOSFET器件用于相移ZVS轉(zhuǎn)換器中可能存在的隱患分析
零壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器被廣泛用于滿足電源應(yīng)用市場,比如電信電源、主機(jī)計算機(jī)-服務(wù)器以及高功率密度和高效率是必需的任何應(yīng)用。為了達(dá)到這個目標(biāo),我們必...
2020-09-22 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 1361 0
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1361 0
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