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mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

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本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1359 0

電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和特性

電力場(chǎng)效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...

2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1358 0

UltraVt超高閾值耗盡型MOSFET的應(yīng)用原理

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ARK(方舟微)研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓1...

2023-11-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET供電電路 1358 0

基于有限狀態(tài)機(jī)(FSM)的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)瞬態(tài)建模

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在航空、艦載系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域已經(jīng)觀察到,[1][2][3] 可用的最佳解決方案之一是碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)樗哂懈哳l HF 和高-其轉(zhuǎn)...

2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETASIC芯片 1356 0

中國(guó)功率器件大市場(chǎng)分析報(bào)告

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國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車(chē)規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)?;?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。

2023-12-18 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶閘管 1355 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

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SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多,必...

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET安森美SiC 1354 0

米勒電容如何限制高頻放大?

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由于存在物理學(xué)定律,電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無(wú)能為力,所以自熱離子真空管問(wèn)世以來(lái),電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過(guò)開(kāi)發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪?lái)解決這些問(wèn)題。

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1353 0

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2023-08-24 標(biāo)簽:放大器電路圖MOSFET 1353 0

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在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...

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2023-12-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 1350 0

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隨著半導(dǎo)體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展,這一總趨勢(shì)使得器件制造商能夠開(kāi)發(fā)出單芯片解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。

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2018-07-11 標(biāo)簽:mosfetdc轉(zhuǎn)換器功率器件 1348 0

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對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無(wú)源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器

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當(dāng)相對(duì)較高的電壓軌(12V)必須降壓到相對(duì)較低的電平時(shí) (3.3V,1.8V),傳統(tǒng)的首選轉(zhuǎn)換器是DC/DC開(kāi)關(guān)控制器,用于驅(qū)動(dòng) 外部 MOSFET。在...

2023-01-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1341 0

準(zhǔn)諧振降壓型LED照明驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源芯片U6113簡(jiǎn)介

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113在同一塊晶元上同時(shí)集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護(hù)功能使其適用于LED照...

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柵控二極管可以替代MOSFET嗎

柵控二極管的工作原理基于電子輸運(yùn)過(guò)程中的沖擊電離效應(yīng)。當(dāng)電子從n型區(qū)域進(jìn)入p型區(qū)域時(shí),由于內(nèi)部電場(chǎng)的作用,電子的能量增加。

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      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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