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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于他對(duì)理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),以表彰“半...
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1888 0
- 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET,......”。接下來請(qǐng)您介...
2023-02-17 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 1885 0
如何有效地比較CMOS開關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開關(guān)阻止源極信號(hào)耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
在電子工程中,柵極電阻的取值對(duì)于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個(gè)常見的取值,但這個(gè)選擇并非隨意,...
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
ARK(方舟微)DMZ6005E在PD快充方案中的應(yīng)用說明
待機(jī)零功耗是未來電源管理方案的發(fā)展趨勢,各大PD快充方案均有待機(jī)低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...
如何在SaberRD中產(chǎn)生120°操作的三相逆變器脈呢?
三相逆變器將直流輸入轉(zhuǎn)換為三相交流輸出?;镜娜嗄孀兤饔扇齻€(gè)單相逆變器開關(guān)組成,每個(gè)開關(guān)分別連接到三個(gè)負(fù)載端子。
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 1867 0
創(chuàng)維65W81系列OLED自發(fā)光壁紙電視機(jī)拆解
近日,充電頭網(wǎng)拿到搭載亞成微超結(jié)MOSFET的創(chuàng)維65W81系列OLED自發(fā)光壁紙電視機(jī),并對(duì)其主機(jī)進(jìn)行了拆解。
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定?;旧?,這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來計(jì)算器件能夠處理的最大...
在電路中,推挽(Push-Pull)是指使用兩個(gè)輸出器件(例如晶體管或MOSFET)交替地將信號(hào)推到正和負(fù)極性,以便將信號(hào)放大并推到一個(gè)負(fù)載上。
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1863 0
輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則
開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)...
2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1856 0
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