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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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逆變器的頻率范圍選擇會受到應(yīng)用需求和特定要求的影響。工頻逆變器通常用于較大功率的應(yīng)用,如家庭電力系統(tǒng)、工業(yè)用電等。而高頻逆變器常用于需要更小尺寸、更高轉(zhuǎn)...
如何驗(yàn)證DC/DC轉(zhuǎn)換器的相位裕度和負(fù)載響應(yīng)之間的折衷取舍問題呢?
可能許多人在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電路設(shè)計中會發(fā)現(xiàn),我們很難調(diào)整相位補(bǔ)償,如果調(diào)整得當(dāng),對于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的變動,可以抑制調(diào)節(jié)器振蕩或輸出電壓的大幅波動。
U7712同步整流ic可提高效率更加穩(wěn)定減低系統(tǒng)成本
同步整流提高了傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器,以及所有其他能夠使用同步整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動態(tài)性,擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能...
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計初期選擇元件時,通過這些參數(shù)可以評估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測試條件(...
本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程,針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間,產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題,進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象,通過對比傳統(tǒng)平面MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源 1022 0
PMOS防反接保護(hù)電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計解析
隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個二極管。使用二極管,導(dǎo)通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r,在G極加合適的電壓,可以讓MO...
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1485 0
影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1713 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?,從?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
在雙MOS管Buck電路中,有兩個MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個MOSFET管與電源相連,另一個MOSFET管與負(fù)載相...
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