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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

初創(chuàng)公司的新X-NAND技術(shù)在芯片級(jí)別提高了并行度

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2020-11-23 標(biāo)簽：芯片 NAND 存儲(chǔ)器 1823 0

鎧俠在中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展前景如何?

經(jīng)歷2019年寒冬，2020年又遭遇“疫情”嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致手機(jī)市場(chǎng)需求大幅下滑，再加上中美貿(mào)易沖突影響，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展在今年變得詭譎多變。不過，鎧俠對(duì)...

2020-11-22 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3151 0

未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 3477 0

NAND加速邊緣計(jì)算場(chǎng)景化落地

日前，存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器邊緣計(jì)算 2192 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 3D NAND 打入華為 Mate 40 供應(yīng)鏈

IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。楊...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 華為供應(yīng)鏈 1866 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式推出國(guó)產(chǎn)首個(gè)129層 3D NAND閃存

在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC World學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢(shì)下中國(guó)芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...

2020-11-20 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2523 0

三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地

據(jù)報(bào)道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動(dòng)舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。

2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.9萬 0

3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢(shì)分析

日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。

2020-11-19 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 3D 3415 0

紫光國(guó)芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲(chǔ)控制器和物理接口IP

根據(jù)紫光國(guó)芯介紹，這個(gè)GDDR6 MC/PHY IP包括一個(gè)可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計(jì)工...

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢(shì)?

11月18日?qǐng)?bào)道今日，在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的...

2020-11-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲(chǔ) 4683 0

預(yù)計(jì):2020年底10nm以下的產(chǎn)能將占IC行業(yè)總晶圓產(chǎn)能的10%

芯片的制程越來越先進(jìn)，隨著IC設(shè)計(jì)制造精度的提高，現(xiàn)代已經(jīng)量產(chǎn)的芯片中能在晶圓上雕刻出的電路之間的間距越來越短，但帶來的問題是，隨著芯片工藝水平的提升，...

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SK海力士將收購(gòu)英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽：芯片 NAND 閃存芯片 2888 0

新 X-NAND 閃存架構(gòu)詳解：QLC 的容量和定價(jià) + SLC 的速度

在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會(huì)期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND ...

2020-11-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 容量 2563 0

美光科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀(jì)錄

北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷...

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KIOXIA鎧俠助力中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)入存儲(chǔ)新時(shí)代

從隨身攜帶的手機(jī)U盤，到PC筆記本中的硬盤，存儲(chǔ)產(chǎn)品是很多人日常生活中不可缺少的設(shè)備，縱覽整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)，品牌也是五花八門，今年以來，“鎧俠”這個(gè)品牌正頻...

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美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之...

2020-11-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 2332 0

SK海力士已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

SK海力士在聲明中稱，已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。此次收購(gòu)包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù)，以及位于大連的工廠。但將以兩次...

2020-11-11 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 2208 0

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NA...

2020-11-11 標(biāo)簽：NAND 3D TLC 2589 0

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2020-11-10 標(biāo)簽：閃存 nand Intel 2090 0

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的...

2020-11-10 標(biāo)簽：芯片 NAND 三星電子 3242 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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