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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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TPS73230-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護(hù)的 250mA 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS732xx 系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):電壓跟隨器配置中的 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定 具有低...
TPS73218-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護(hù)的 250mA 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS732xx 系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):電壓跟隨器配置中的 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定 具有低...
TPS73233-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護(hù)的 250mA 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS732xx 系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):電壓跟隨器配置中的 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定 具有低...
TPS73201-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護(hù)的 250mA 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS732xx 系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):電壓跟隨器配置中的 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定 具有低...
TPS73225-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護(hù)的 250mA 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS732xx 系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):電壓跟隨器配置中的 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定 具有低...
數(shù)據(jù)手冊(cè)#TPS737-Q1系列 汽車級(jí) 1A 超低壓差穩(wěn)壓器,具有反向電流保護(hù)和使能功能
TPS737xx-Q1 系列線性低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器在電壓跟隨器配置中使用 NMOS 傳輸元件。這種拓?fù)鋵?duì)輸出電容值和 ESR 相對(duì)不敏感,允許各...
TPS736-Q1系列 具有反向電流保護(hù)功能的汽車類 400mA、高精度、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS736-Q1 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用 NMOS 拓?fù)?,該拓?fù)溆刹捎秒妷焊S器配置的 NMOS 傳輸晶體管組成。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用低 ES...
2025-03-06 標(biāo)簽:ldoNMOS低壓差穩(wěn)壓器 308 0
TPS7A37 具有反向電流保護(hù)和使能功能的 1A、高精度、超低壓降穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7A37 系列線性低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器在一個(gè)電壓隨耦器配置中使用一個(gè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體 (NMOS) 導(dǎo)通元件。 該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)輸出電...
2025-03-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻半導(dǎo)體NMOS 275 0
MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!?..
互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵...
其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實(shí)際應(yīng)用·無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案開發(fā)
NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)和PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種常見的場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:其利天...
使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 996 0
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
不管你是做什么電子產(chǎn)品,電源供電是必不可少的,今天給大家分享幾種常用的防反接電路,在我們工作中可能用的到。 所謂防反接,就是正插時(shí)設(shè)備正常工作,反插時(shí),...
浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲(chǔ)器之中,比如nand flash中的基本單元,本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大...
簡單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),我們會(huì)使用NMOS來作防反電路,原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過,...
電平轉(zhuǎn)換電路的實(shí)現(xiàn)原理及電路圖分享
5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見的電平,對(duì)于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議,芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問題,所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來保證這些芯...
2024-11-13 標(biāo)簽:NMOS電平轉(zhuǎn)換 1470 0
干貨分享:Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì),第一部分
?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...
2024-10-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸NMOSLTE 1289 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
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