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標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵,設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電...
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲能系統(tǒng)設(shè)計
安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動已圓滿收官,本次活動吸引了眾多工程師的積極參與,通過實際應(yīng)用體驗安森美先進的開發(fā)工具,共同挖掘其在設(shè)計中...
2025-04-17 標(biāo)簽:安森美SiC儲能系統(tǒng) 148 0
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計,包括但不...
TMS320F28P550SJ 實時微控制器技術(shù)手冊
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率,包括但不...
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
TMS320F28P559SJ-Q1 實時微控制器技術(shù)手冊
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包...
工業(yè)設(shè)備正在向電動化轉(zhuǎn)型,亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動工具到重型機械,其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)...
安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。
創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應(yīng)用
保護半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳...
安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南...
芯力特是國內(nèi)首個量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司,SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來在CAN收發(fā)器接口產(chǎn)品研發(fā)的經(jīng)...
2025-03-25 標(biāo)簽:接口SiCCAN收發(fā)器 573 0
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
隨著汽車電氣化的蓬勃發(fā)展,特別是SiC等器件在能量變換環(huán)節(jié)的大量使用,因高壓、高頻功率變換給車內(nèi)環(huán)境造成了大量雜散磁場干擾,主機廠和Tier 1 提出了...
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...
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