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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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市場上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型,光儲充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲能裝置和電動汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。而功率半導(dǎo)體,作...
2024-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 834 0
天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一,近20年來隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升,其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。目前SiC芯片的制備...
Sic功率芯片制造工藝技術(shù)知識與專家報(bào)告分享
Sic功率芯片:即碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)芯片,是一種基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片。SiC芯片具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電...
喜報(bào) | 芯森電子榮獲2024年珠海市“科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽優(yōu)勝獎(jiǎng)
近日,珠海芯森電子科技有限公司在第十三屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽(廣東·珠海賽區(qū))暨2024年珠海市“科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽中榮獲優(yōu)勝獎(jiǎng)。此次大賽匯聚了眾多創(chuàng)新企...
超31萬片!約102億!兩大半導(dǎo)體公司,合建SiC項(xiàng)目
來源:半導(dǎo)體材料與工藝 11月29日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將為日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體項(xiàng)目提供補(bǔ)貼,該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日...
2024-12-03 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體公司 605 0
瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用
為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...
隨著清潔能源的快速增長,作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng),離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方...
瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動態(tài)開關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn)
日前,在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)發(fā)布了9項(xiàng)碳化硅 (SiC) MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)...
新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21...
在綠色出行浪潮的推動下,電動汽車(EV)作為一種重要的環(huán)保交通工具,正以勢不可擋之勢融入我們的日常生活。然而,要讓這些“鋼鐵俠”自由馳騁,高效可靠的充電...
揚(yáng)杰科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品,產(chǎn)品均采用開爾文接觸,明顯減少了開關(guān)時(shí)間,降低了開關(guān)損耗,支持更高頻率的應(yīng)用與動態(tài)...
習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車車主們,難免會對新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時(shí)間和續(xù)航能力。然而,隨著充電技術(shù)的不斷提升,特...
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這...
碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...
2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2356 0
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅(SiC)作為...
2024-11-25 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料SiC 1877 0
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...
2024-11-25 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 2002 0
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝
新品CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO-247和...
組串式逆變器市占率將逼近八成,SiC應(yīng)用空間巨大
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器將光伏發(fā)電板所產(chǎn)生的直流電,轉(zhuǎn)化為可接入電網(wǎng)和提供給電器使用的交流電。近年來,得益于光伏發(fā)電等...
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