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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用

3月5日，據(jù)“樂(lè)山發(fā)布”消息，四川樂(lè)山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用，屆時(shí)企業(yè)將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷售...

2024-03-07 標(biāo)簽：晶圓 IGBT 功率器件 1306 0

瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 瞻芯電子 1251 0

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

2024年3月5日，上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要，已經(jīng)順利完成股份改制，并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，公司名稱正式變更為：上...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 1606 0

使用349NX激光器進(jìn)行SiC的拉曼光譜和光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)

來(lái)自Link?pingUniversity的IvanIvanov教授團(tuán)隊(duì)利用Skylark的349nm激光器成功替代了實(shí)驗(yàn)室中的陳舊氬離子氣體激光器，在...

2024-03-06 標(biāo)簽：激光器材料 SiC 2262 0

嘉興斯達(dá)微電子20億投資項(xiàng)目即將投用，新增建筑面積20.6萬(wàn)平米

該項(xiàng)目坐落于嘉興南湖區(qū)，投資總額達(dá)到20億元人民幣，占地總面積279畝，擬新建建筑20.6萬(wàn)平方米，包括生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓以及危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)藏室等設(shè)施，同時(shí)...

2024-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 3076 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元，SiC等占45%

此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 692 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1121 0

芯聯(lián)集成宣布與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

據(jù)介紹，按照雙方協(xié)議簽署，芯聯(lián)集成將和理想汽車在碳化硅（SiC）領(lǐng)域展開(kāi)全面戰(zhàn)略合作，雙方將一起積極推動(dòng)產(chǎn)品化進(jìn)程，共同提升雙方的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

2024-03-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 996 0

800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆！華為、理想等7大廠商將建10+萬(wàn)超充樁

春節(jié)過(guò)后，800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點(diǎn)這里），同時(shí)也迎來(lái)了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬(wàn)級(jí)（回顧點(diǎn)這里），昨天小鵬汽車G...

2024-03-05 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體充電樁 2989 0

東芝半導(dǎo)體將加快開(kāi)發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體

2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元，其中35%用于汽車市場(chǎng)，20%用于工業(yè)市場(chǎng)。

2024-03-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 951 0

碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。（2）SiC功...

2024-03-04 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件 SiC 2772 0

Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，...

2024-03-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1236 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳，...

2024-03-01 標(biāo)簽：SiC GaN 晶體結(jié)構(gòu) 1307 0

Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱...

2024-02-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 587 0

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高，該法主...

2024-02-29 標(biāo)簽：光電器件 SiC 砷化鎵 2945 0

國(guó)內(nèi)新增6個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài)：芯片、模塊、封裝等

2月26日，據(jù)鹽城市建湖縣人民政府網(wǎng)信息，芯干線投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測(cè)項(xiàng)目，將抓緊做好設(shè)備訂購(gòu)調(diào)試，盡快實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

2024-02-28 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體芯片功率芯片 1374 0

譜析光晶年產(chǎn)10萬(wàn)臺(tái)SiC芯片項(xiàng)目簽約浙江瓜瀝

據(jù)浙江瓜瀝官微消息，2月24日，浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)召開(kāi)推進(jìn)新型工業(yè)化暨項(xiàng)目開(kāi)工簽約大會(huì)。

2024-02-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 功率芯片 1239 0

碳化硅外延設(shè)備企業(yè)納設(shè)智能開(kāi)啟上市輔導(dǎo)

證監(jiān)會(huì)近日公告顯示，深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司（簡(jiǎn)稱“納設(shè)智能”）已正式開(kāi)啟首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案程序。該公司專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（S...

2024-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1579 0

美能源部援SK Siltron貸款，助其擴(kuò)大碳化硅晶圓生產(chǎn)

　美國(guó)能源部貸款項(xiàng)目辦公室（LPO）表示，此舉旨在滿足日益增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車及儲(chǔ)能系統(tǒng)用 SiC 晶片市場(chǎng)需求。據(jù)了解，SK Siltron CSS 是...

2024-02-26 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 儲(chǔ)能系統(tǒng) 766 0

芯三代啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

近日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯三代”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造...

2024-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2179 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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