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陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。...
三星3nm采用的晶體管架構(gòu)是GAAFET，也被稱為Nanosheet，而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。...
計(jì)量學(xué)是我們應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體制造商所面臨挑戰(zhàn)的能力的基礎(chǔ)。進(jìn)行投資今天計(jì)量能力的提高將為未來(lái)的技術(shù)需求提供保障，并支持美國(guó)在下一代微電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。加快研發(fā)急需的計(jì)量學(xué)進(jìn)展刻不容緩，而且可以獲得許多高影響的成果。...
對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨(dú)的源極/漏極觸點(diǎn)，但兩個(gè)器件都有一個(gè)共同的柵極。...
集成電路中的有源區(qū)、柵、接觸孔、金屬互連線等關(guān)鍵部位的大小和間距等關(guān)鍵參數(shù)稱為特征尺寸，具備某一系列特征尺寸的技術(shù)稱為技術(shù)節(jié)點(diǎn)或技術(shù)代，如20世紀(jì)的0.35um技術(shù)代或技術(shù)節(jié)點(diǎn)，21世紀(jì)初的90um技術(shù)代，當(dāng)前14nm/10nm技術(shù)代等。...
在高速數(shù)字電路中，當(dāng)數(shù)字集成電路加電工作時(shí)，它內(nèi)部的門(mén)電路輸出會(huì)發(fā)生從高到低或者從低到高的狀態(tài)轉(zhuǎn)換，即”0″和”1″間的轉(zhuǎn)換。在變化的過(guò)程沖，門(mén)電路中的晶體管將不停地導(dǎo)通和截止，這時(shí)會(huì)有電流從所接電源流入門(mén)電路，或從門(mén)電路流入地平面...
定柄鉆頭的特點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)更換鉆頭。定位精度高，不需要使用鉆套。大螺旋角，排屑速度快，適于高速切削。在排屑槽全長(zhǎng)范圍內(nèi)，鉆頭直徑是一個(gè)倒錐，鉆削時(shí)與孔壁的磨擦小，鉆孔質(zhì)量較高。鉆柄直徑有Φ2，Φ3，和Φ3.175三種。...
多芯片組件技術(shù)是為適應(yīng)現(xiàn)代電子系統(tǒng)短，小，輕，薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的發(fā)展方向二在PCB和SMT的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代微電子封裝與組裝技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的有力手段。...
印刷電路板(PCB)廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，無(wú)論是手機(jī)、電腦還是復(fù)雜的機(jī)器，你都可找到電路板。如果PCB存在缺陷或制造問(wèn)題，則可能導(dǎo)致最終產(chǎn)品出現(xiàn)故障并造成不便。在這些情況下，制造商將不得不召回這些設(shè)備，并花費(fèi)更多的時(shí)間和資源來(lái)修復(fù)故障。...
PCB的保存和烘烤時(shí)間跟地區(qū)有很大的關(guān)系，在南方濕氣一般比較重，特別是在廣東和廣西這些地區(qū)，在每年的三四月份會(huì)出現(xiàn)有“回南天”的天氣，每天陰雨連綿，這時(shí)候非常潮濕。...
產(chǎn)生原因?yàn)椋簲嚆@咀后取鉆咀；鉆孔時(shí)沒(méi)有鋁片或夾反底版；參數(shù)錯(cuò)誤；鉆咀拉長(zhǎng)；鉆咀的有效長(zhǎng)度不能滿足鉆孔蟊板厚度需要；手鉆孔；板材特殊，批鋒造成。...
按前定位系統(tǒng)進(jìn)行的多層印製板的層壓，過(guò)去大多採(cǎi)用全單片層壓技術(shù)，在整個(gè)內(nèi)層圖形的製作過(guò)程中，須對(duì)外層之單面進(jìn)行保護(hù)，不但給製作帶來(lái)了麻煩，且生産效率低;尤其對(duì)于四層板會(huì)産生板面翹曲等問(wèn)題。...
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩(wěn)定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤的光刻膠薄膜會(huì)通過(guò)蒸發(fā)失去溶劑，從而隨時(shí)間改變薄膜的性能。通過(guò)烘烤抗蝕劑，大部分溶劑被去除，膜在室溫下變得...
LBIST (Logic build-in-self test), 邏輯內(nèi)建自測(cè)試。和MBIST同理，在關(guān)鍵邏輯上加上自測(cè)試電路，看看邏輯cell有沒(méi)有工作正常。BIST總歸會(huì)在芯片里加入自測(cè)試邏輯，都是成本。...
摩爾定律 Intel創(chuàng)始人之一摩爾1964年提出，大約每隔12個(gè)月： 1）。芯片能力增加一倍、芯片價(jià)格降低- -倍; 2）。廣大用戶的福音、行業(yè)人員的噩夢(mèng)。 芯片集成密度不斷提升、光刻分辨率的不斷提升！...
是通過(guò)加熱蒸散后形成膜進(jìn)行吸氣。非蒸散型吸氣材料是激活后形狀不變，常溫下即可與活性氣體形成穩(wěn)定化合物進(jìn)行吸氣。蒸散型吸氣材料工作時(shí)會(huì)帶來(lái)蒸散的金屬原子，造成極間漏電等影響電真空器件的正常工作。使其在某些電真空器件 中的應(yīng)用受到了限制。...
晶圓廠內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備按照類型可大致分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、過(guò)程控制、自動(dòng)化制造和控制、清洗、涂布顯影、去膠、化學(xué)機(jī)械研磨（CMP） 、快速熱處理/氧化擴(kuò)散、離子注入、其他晶圓級(jí)設(shè)備等類別，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕、過(guò)程控制占比最大。...
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。...
集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如，硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學(xué)過(guò)程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)體（例如多晶硅、鋁和最近的銅）和絕緣體（各種形式的二氧化硅、氮化硅等）的薄膜用于連接和隔離晶體管及其組件。硅的各個(gè)區(qū)域的選擇性摻雜允許硅的導(dǎo)電性隨著...
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