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IEC TR 62380《電子組件、PCBs和設(shè)備的可靠性預(yù)計(jì)通用模型》是涵蓋電路、半導(dǎo)體分立器件、光電組件、電阻器、電容器、壓電組件、顯示器、開(kāi)關(guān)等等電子元器件的可靠性預(yù)計(jì)模型，模型中包含了環(huán)境系數(shù)以及材料、工藝和結(jié)構(gòu)等因素相關(guān)的系數(shù)。...
目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。...
一家國(guó)內(nèi)頭部MCU廠商稱(chēng)，公司在缺貨漲價(jià)時(shí)期已經(jīng)調(diào)整了銷(xiāo)售策略，基本退出低端消費(fèi)電子市場(chǎng)，全面轉(zhuǎn)向工業(yè)、汽車(chē)市場(chǎng)。因此，雖然公司也會(huì)受到市場(chǎng)下行周期的影響，但比其他消費(fèi)類(lèi)MCU廠商的處境要好很多。...
極性反向：極性方位正確性與加工工程樣品裝配不一樣， 即為極性錯(cuò)誤 零件倒置： SMT之零件不得倒置，另CR因底部全白無(wú)規(guī)格標(biāo)示，雖無(wú)極性也不可傾倒放置...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié)，封裝材料、工藝和結(jié)構(gòu)直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。目前成熟的封裝技術(shù)主要是以銀膠或錫基釬料等連接材料、引線連接等...
隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。...
從激光鉆孔的加工參數(shù)方面考量，開(kāi)窗窗口周邊及微盲孔孔內(nèi)底銅無(wú)法被二氧化碳激光鉆孔破壞;其次，孔內(nèi)樹(shù)脂在吸收二氧化碳激光鉆孔足夠能量后，化學(xué)鍵能瞬間被破壞而發(fā)生燃燒反應(yīng)，同時(shí)，將孔內(nèi)被軟化的玻璃纖維帶出孔內(nèi)。...
合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結(jié)合成化學(xué)鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝，半導(dǎo)體制造過(guò)程中已經(jīng)使用了很多合金工藝，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝過(guò)程中一般形成鈦金屬硅化合物(見(jiàn)下圖)。...
COF(Chip On Flex,或Chip On Film，常稱(chēng)覆晶薄膜)將IC固定于柔性線路板上晶粒軟膜構(gòu)裝技術(shù)，是運(yùn)用軟質(zhì)附加電路板作封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路接合的技術(shù)。...
我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游發(fā)展迅速，消費(fèi)電子、新能源汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)也給我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了大量的消費(fèi)需求。目前，我國(guó)已成為全球第一大消費(fèi)電子生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)國(guó)。...
低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技術(shù)是一種新型微電子封裝技術(shù)，它集多層互連、埋置無(wú)源元件和氣密性封裝于一體，而且高頻特性優(yōu)良，技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯。因此，LTCC技術(shù)在微電子領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)和發(fā)展前景。...
硅晶圓作為半導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的原材料，其市場(chǎng)規(guī)模的波動(dòng)方向也基本與全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額一致，且波動(dòng)幅度更大，具有明顯的周期性。...
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging，縮寫(xiě)WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)發(fā)展迅速。根據(jù)Verified Market Research 研究數(shù)據(jù)，晶圓級(jí)封裝市場(chǎng) 2020 年為 48.4 億美元，預(yù)計(jì)到 2028 年將達(dá)到 2...
熱載流子注入(熱載流子誘生的MOS器件退化是由于高能量的電子和空穴注入柵氧化層引起的，注入的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生界面態(tài)和氧化層陷落電荷，造成氧化層的損傷。）...
隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進(jìn)，單純通過(guò)縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來(lái)的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應(yīng)未來(lái)發(fā)展的需求。晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)作為能夠突破單層芯片限制的先進(jìn)集成技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能、帶寬和功耗等方面指標(biāo)提升的重要備選方案之一。對(duì)目前已有的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)及其封裝...
大功率LED封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復(fù)雜，并直接影響到LED的使用性能和壽命，一直是近年來(lái)的研究熱點(diǎn)，特別是大功率白光LED封裝更是研究熱點(diǎn)中的熱點(diǎn)。...
三星最新的生產(chǎn)工藝技術(shù)是他們的4nm節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)去年年底提高了產(chǎn)量。這是他們最后一個(gè)基于FinFET的前沿工藝技術(shù)，盡管不是他們計(jì)劃中的最后一個(gè)。...
英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出摩爾定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。...
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