完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括：多于10萬個器件的設(shè)計復(fù)雜度、大于幾GHz的時鐘主頻、納米級的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無線/有線通訊協(xié)議的支持問題?！ ?
2019-10-11 06:39:24
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標準CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
隨著移動行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進，整個行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計對下一代移動設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
進入3G/4G/Pre-5G時代，射頻前端，一個手機SoC里不起眼的小角色，開始在高端智能手機市場挑大梁。一旦連上移動網(wǎng)絡(luò)，任何一臺智能手機都能輕松刷朋友圈、看高清視頻、下載圖片、在線購物，這完全是
2019-07-30 08:24:01
什么是量子點技術(shù)？量子點技術(shù)如何應(yīng)用于液晶面板的？量子點技術(shù)牛在哪？量子點技術(shù)的有什么特點？
2021-06-02 06:20:39
本文提出一種具有射頻監(jiān)測能力的雷達接收前端技術(shù)，解決了現(xiàn)有雷達及雷達測試系統(tǒng)無法在接收過程中對復(fù)雜電磁環(huán)境的影響效應(yīng)進行有效分析和測量的問題。該技術(shù)用于對多干擾源及多要素疊加的電磁環(huán)境作用下的接收機
2020-12-21 07:29:50
查詢了一些資料，知道了分頻器是鎖相環(huán)電路中的基本單元．是鎖相環(huán)中工作在最高頻率的單元電路。傳統(tǒng)分頻器常用先進的高速工藝技術(shù)實現(xiàn)。如雙極、GaAs、SiGe工藝等。隨著CMOS器件的尺寸越來越小，可用
2021-04-07 06:17:39
產(chǎn)生的原理和固態(tài)射頻能量產(chǎn)生原理圖例，從中可以看出，傳統(tǒng)的射頻能量一般由磁控管產(chǎn)生，作用于物品或者工藝需要，固態(tài)射頻能量由射頻合成器產(chǎn)生，受控于射頻功率放大器的閉環(huán)控制調(diào)節(jié)，作用于物品或者工序需要
2018-08-21 10:57:30
模式下有非常低的噪聲系數(shù)和非常強的功率處理能力· 非常低的直流靜態(tài)功耗· 發(fā)射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
119%。高增長的背后是射頻市場的機遇，但同時也是挑戰(zhàn)。如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術(shù)挑戰(zhàn)？就成了一個非常棘手的問題。
2019-08-01 08:25:49
基本的NMOS管串聯(lián)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，采用深N阱工藝的NMOS器件，運用一種改進型的體懸浮(body-floating)技術(shù)，實現(xiàn)了 一個寬帶射頻收發(fā)開關(guān)。與傳統(tǒng)的串并聯(lián)結(jié)構(gòu)開關(guān)電路相比，該結(jié)構(gòu)具有更高的線性度
2019-07-31 06:22:33
直接影響著接收機的性能。另一方面，LNA的設(shè)計也是無線電設(shè)備相關(guān)電路設(shè)計中最具有挑戰(zhàn)性的內(nèi)容之一。這主要表現(xiàn)在它同時需要滿足高增益、低噪聲、良好的輸入輸出匹配和在盡可能小的工作電流時的無條件穩(wěn)定性。那么，大家知道我們該如何設(shè)計CDMA射頻前端低噪聲放大器電路嗎？
2019-08-01 06:34:15
感覺這是個很牛逼的論壇 這輩子就他了， 技術(shù)宅屌絲就這樣過一生了 新人報道{:4_95:}
2014-07-14 23:30:04
嵌入式 超
牛逼 的語言 C++學(xué)習(xí)寶典?。。?/div>
2012-09-19 11:42:04
。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導(dǎo)體和瑞薩仍然堅持用傳統(tǒng)工藝，主要是SiGeBiCMOS工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導(dǎo)體的射頻收發(fā)器。而歐美廠家對新產(chǎn)品一向保守，對RFCMOS缺乏信任
2016-09-15 11:28:41
即使是最自信的設(shè)計人員，對于射頻電路也往往望而卻步，因為它會帶來巨大的設(shè)計挑戰(zhàn)，并且需要專業(yè)的設(shè)計和分析工具。怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計挑戰(zhàn)？來簡化任何射頻PCB 設(shè)計任務(wù)和減輕工作壓力！這個問題急需解決。
2019-08-21 06:38:27
本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在電路設(shè)計上，使用單節(jié)λ/4短截線收發(fā)開關(guān)電路，既保證了高收發(fā)隔離和低損耗接收的電路性能，又比傳統(tǒng)的并聯(lián)式開關(guān)電路節(jié)省了一節(jié)λ/4短截線占據(jù)的空間，縮小了電路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個射頻功率放大器實現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關(guān)采用高隔離開關(guān)設(shè)計，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標準
2019-08-22 06:24:40
射頻前端模塊性能關(guān)系到整個接收機的性能。本文通過對接收機進行研究，分析了超外差接收機的特點，提出了一種采用PLL技術(shù)的接收機的射頻前端方案，及對射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標進行了分析。并通過軟硬件平臺進行
2019-08-22 07:38:30
–4%的重量百分比范圍內(nèi)（wt%），同時擴散通常是在低于1%的Tb或Dy的質(zhì)量分數(shù)范圍內(nèi)進行的。晶界擴散技術(shù)可以使用1/3~1/2的傳統(tǒng)工藝使用的鏑或鋱的用量達到和傳統(tǒng)工藝磁體一樣高的剩磁(Br
2018-10-17 10:33:33
。 射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-11-26 10:26:16
神器可以解決之。集成射頻前端芯片AT2401C。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配
2018-11-09 10:18:57
隨著數(shù)字移動電視不斷向移動設(shè)備的應(yīng)用轉(zhuǎn)移，應(yīng)用和系統(tǒng)工程師正面臨著各種挑戰(zhàn)，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號完整性。對現(xiàn)有移動電視標準的研究重點將放在了DVB-H上。本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計所面臨的機遇和挑戰(zhàn)，并重點介紹射頻前端。
2019-06-03 06:28:52
LTCC技術(shù)實現(xiàn)SIP的優(yōu)勢特點有哪些？怎樣去設(shè)計一種射頻接收前端SIP？
2021-04-26 06:05:40
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
高速ADC前端設(shè)計的挑戰(zhàn)和權(quán)衡因素
2021-04-06 07:18:55
在研究移動電視技術(shù)發(fā)展趨勢時需要區(qū)分產(chǎn)品功能組合、封裝、性能、采用的半導(dǎo)體工藝和最重要的射頻接收器性能。目前大多數(shù)單制式解調(diào)器都采用130納米至65納米CMOS工藝制造。多數(shù)情況下，它們與射頻接收器
2019-07-29 06:49:39
硅鍺技術(shù)改善射頻前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 摘 要 無線通信系統(tǒng)的多功能、小型化、低成本的趨勢，對射頻前端模塊的設(shè)計提出了很大的挑戰(zhàn)。人們對濾波器、巴倫、藍牙模塊和功放模塊的設(shè)計已經(jīng)進行過大量的研究。在這
2010-06-19 10:31:5248 多重標準射頻前端可能是獨立的集成電路，或是一個較大、且整合了射頻及調(diào)制解調(diào)器之芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案的一部份。在這兩種情況中，射頻電路系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)計需求基本上相同
2011-04-22 11:19:44
650 專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新、下一代射頻解決方案的無廠半導(dǎo)體公司RFaxis宣布，該公司將在2012年臺北國際電腦展覽會上推出純CMOS、RFX5000射頻前端集成電路（RFeIC），該集
2012-05-14 08:49:42891 近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利
2012-05-21 10:06:191850 
。 其中，通過無線網(wǎng)絡(luò)進行連接已逐漸成為主流，但射頻前端芯片作為移動網(wǎng)絡(luò)連接的關(guān)鍵部分，卻還是面臨著一些挑戰(zhàn)。目前，產(chǎn)業(yè)界在射頻前端芯片方面主要采用GaAs/SiGe技術(shù)來實現(xiàn)，但其工藝復(fù)雜，成本較高、產(chǎn)能低下，難以實現(xiàn)低成本的規(guī)
2017-11-09 16:28:0210 （硅鍺）BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代該結(jié)束了，純CMOS工藝RF前端 IC將在未來十年內(nèi)主宰移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時代。 業(yè)界對CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通（Qualcomm）并購CMOS PA供應(yīng)商Black Sand，借以強化其RF360方案競爭力；而在2013
2017-11-09 16:35:510 硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采用體硅CMOS工藝（硅 的原材料是沙子）制造，但有一個部分卻難以實現(xiàn)，那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 作為接收機重要組成部分的接收機射頻前端是接收機動態(tài)性能的關(guān)鍵部件，它工作于中頻放大器之前。諸如動態(tài)范圍、互調(diào)失真、-1dB壓縮點和三階互調(diào)截獲點等，都與接收機前端的性能有直接關(guān)系。本文以下將介紹接收機中的射頻前端設(shè)計技術(shù)。
2017-11-23 16:30:536906 
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標準
2017-11-25 11:07:014628 
供應(yīng)商，漢天下計劃使用其提供的RFSOI工藝設(shè)計和制造用于射頻前端（FEM）和天線開關(guān)模塊（ASM）中的開關(guān)芯片。相比傳統(tǒng)的GaAs和SOS工藝，RFSOI可以同時提供優(yōu)良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來做射頻開關(guān)的設(shè)計，基于這種先進的工藝，我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37557 加州歐文--(美國商業(yè)資訊)--專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis宣布發(fā)布射頻前端技術(shù)白皮書《面向移動手持設(shè)備應(yīng)用的CMOS Wi-Fi射頻前端
2019-03-18 12:30:07728 簡單來說就是上面這張圖，把PA、LNA、開關(guān)和外部元件都集成到單一的CMOS工藝的芯片中去。目前該公司推出單芯片射頻前端可用于WLAN（2.4G和5G）、藍牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等無線傳輸設(shè)備上。
2018-05-11 09:16:004828 為滿足下一代蜂窩電話設(shè)計對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過采用CMOS工藝的最新集成方案，他們找到了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的答案。 消費者對更小、更便宜手機
2018-09-17 00:56:01186 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是鋰電池的傳統(tǒng)工藝詳細資料介紹主要包括了：配料，涂布，制片，極耳焊接，卷繞，短路檢驗，入殼，滾槽，注液，封口，密封性檢驗，化成，分容，外包裝，出廠檢驗
2018-12-03 08:00:0030 在很多分析師和廠商看來，2019年將會是5G元年，但這個高速、低延遲和廣泛覆蓋網(wǎng)絡(luò)到來，除了在應(yīng)用方面帶來了變革的機會，給上游供應(yīng)商也帶來了不小的挑戰(zhàn)，尤其是射頻前端方面。
2019-05-02 17:32:003495 
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，選擇
2020-09-25 10:44:002 射頻前端模塊性能關(guān)系到整個接收機的性能。本文通過對接收機進行研究，分析了超外差接收機的特點，提出了一種采用PLL 技術(shù)的接收機的射頻前端方案，及對射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標進行了分析。并通過軟硬件平臺
2020-09-23 10:45:003 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 射頻（RF）前端與鏈路是雷達、通信、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中的核心功能模塊。新一代智能無線系統(tǒng)的大帶寬、多頻段、可重構(gòu)信號處理與傳輸需求對RF 前端與鏈路的研發(fā)提出一系列挑戰(zhàn)。
2020-09-08 11:32:344680 
刀剪生產(chǎn)自動化，科技力量打磨傳統(tǒng)工藝 在刀剪制造領(lǐng)域，珞石機器人經(jīng)過多年工藝、技術(shù)積累，憑借機器人產(chǎn)品高精高速的運動性能，融合豐富的自動化產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，成功的實現(xiàn)了機器人開刃、水磨等關(guān)鍵核心生產(chǎn)技術(shù)
2020-09-09 09:16:222005 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議
2022-12-13 11:42:001674 5G作為移動通信領(lǐng)域的重大變革點，是當前新基建的領(lǐng)銜領(lǐng)域。在5G的影響下，射頻前端器件正發(fā)生什么樣的變化？近日在中國MEMS制造大會上，左藍微電子創(chuàng)始人、總經(jīng)理張博士以5G時代射頻前端的機遇與挑戰(zhàn)
2020-11-11 15:33:553043 射頻前端模組之濾波器技術(shù)簡要分類
2020-12-02 16:33:101860 DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業(yè)務(wù)。 射頻前端是無線通信的必備器件，其負責(zé)IT設(shè)備之間的發(fā)射
2022-01-13 09:35:294114 ，對后張法預(yù)應(yīng)力孔道壓漿的質(zhì)量檢測，確保有效預(yù)應(yīng)力體系的建立，是保證橋梁達到設(shè)計要求，滿足使用耐久性的一個重要環(huán)節(jié)。 一、傳統(tǒng)壓漿工藝存在問題 1、水泥漿液的配制 水泥漿液的配制存在很大的人為性因素，配制漿液的設(shè)備也不標準，
2022-10-21 15:26:39327 
一體成型電感工藝流程，PIM繞線代替傳統(tǒng)工藝 一體成型電感傳統(tǒng)工藝流程： 繞線：將銅線依規(guī)定要求繞至固定形狀尺寸。 點焊：將繞至好的線圈使用電流熔焊接到料片腳上。 成型：將點焊好料片放入模具使用液壓
2023-07-09 14:55:45644 
和天線技術(shù)的集成電路，主要實現(xiàn)處理射頻信號的功能。下面詳細講解射頻前端和射頻芯片的關(guān)系。 首先，射頻前端是指從天線開始到最后一級放大器之間的電路系統(tǒng)。射頻前端包括天線、跨越器、調(diào)節(jié)器、偏置器、放大器和濾波器等
2023-09-05 09:19:141805 最近十幾年中，射頻前端方案快速演進。“模組化”是射頻前端演進的重要方向。
2023-11-08 09:24:00535 
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